[实用新型]正入射式光电芯片及其封装结构有效
申请号: | 201822196276.8 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209401636U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0232;G02B6/125 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 分光 本实用新型 光电芯片 吸收层 正入射 芯片 入射光 吸光区 顶层 衬底 第一电极 封装结构 光通信传输 光电转换 光分路器 光路系统 光功率 透射 分出 监控 贯穿 | ||
本实用新型涉及光通信传输技术领域,本实用新型提供了一种正入射式光电芯片及其封装结构,一种正入射光电芯片,包括衬底、吸收层和顶层,吸收层位于衬底和顶层之间,顶层相对衬底更靠近芯片的正面;芯片上开设分光孔,分光孔贯穿吸收层;芯片的正面上还设有吸光区和第一电极,第一电极位于吸光区的外侧;以芯片的正面为入光侧,入射光的一部分从分光孔透射分出,入射光的另一部分从吸光区进入到吸收层内进行光电转换;故本实用新型提供的正入射式光电芯片既能够分光,又能够对入射光的光功率进行监控;进而使用本实用新型提供的芯片的光路系统,无须使用光分路器进行分光,减少了系统体积,也降低了成本。
技术领域
本实用新型涉及光通信传输技术领域,具体涉及一种正入射式光电芯片及其封装结构。
背景技术
激光器发射的光信号经光纤传输进入无源光波导(PLC)之前,通常需要光分路器分出部分(例如5%)光信号到另外的光接收芯片上,进行光功率监控。剩余(例如95%)的光信号通过光纤耦合到光波导,进行传输。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种正入射式光电芯片及其封装结构,该芯片既能够实现分光,又能够实现光功率的监控。
为了实现上述技术问题,本实用新型提供了一种正入射式光电芯片,包括衬底、吸收层和顶层,所述吸收层位于所述衬底和所述顶层之间,所述顶层相对所述衬底更靠近所述芯片的正面;所述芯片上开设分光孔,所述分光孔贯穿所述吸收层;
所述芯片的正面上还设有吸光区和第一电极,所述第一电极位于所述吸光区的外侧;
以所述芯片的正面为入光侧,入射光的一部分从所述分光孔透射分出,入射光的另一部分从所述吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换。
本实用新型提供的正入射式光电芯片设置了分光孔,分光孔贯穿吸收层。芯片的正面上还设有吸光区。入射光从芯片正面的一侧射入芯片,一部分光从分光孔透射分出,因为这部分光可通过分光孔未经过吸收层而无损穿过芯片,继续进行光信号传输;而另一部分光就会从吸光区进入到吸收层内进行光电转换,产生光生载流子,从而对入射光的光功率进行有效监控。故本实用新型提供的正入射式光电芯片既能够分光,又能够对入射光的光功率进行监控。进而使用本实用新型提供的芯片的光路系统,无须使用光分路器进行分光,减少了系统体积,也降低了成本。
进一步地,所述顶层内设有光敏区;所述光敏区的内端与所述吸收层相连接,所述光敏区的外端与所述第一电极相连接;所述吸光区与所述光敏区有重叠区域。
进一步地,所述分光孔向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层。
进一步地,所述衬底与所述吸收层之间还设有缓冲层,所述分光孔的内端位于所述缓冲层。
进一步地,所述芯片的背面上设有第二电极,所述第二电极与所述衬底相连接。
进一步地,所述吸光区内设有入光增透膜。
进一步地,所述分光孔的内端设有透光增透膜。
进一步地,所述芯片的背面设有出光增透膜,所述出光增透膜的面积大于所述分光孔沿平行于所述芯片表面方向的横截面积。
进一步地,所述光敏区沿平行于所述芯片表面方向的横截面呈环形并围绕所述分光孔设置,所述吸光区呈环形并围绕所述分光孔设置,所述第一电极沿平行于所述芯片表面方向的横截面呈环形并围绕所述吸光区设置。
本实用新型还提供一种正入射式光电芯片的封装结构,包括管壳和正入射式光电芯片,所述正入射式光电芯片为以上任一所述的正入射式光电芯片;所述芯片设于所述管壳内,所述管壳上设有第一光纤接口和第二光纤接口;所述第一光纤接口和所述第二光纤接口分别设于芯片的正面和背面。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司,未经深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822196276.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:背入射式光电芯片
- 下一篇:正入射式共面电极光电芯片及其封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的