[实用新型]正入射式光电芯片及其封装结构有效

专利信息
申请号: 201822196276.8 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN209401636U 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜 申请(专利权)人: 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0232;G02B6/125
代理公司: 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 代理人: 田俊峰
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及光通信传输技术领域,本实用新型提供了一种正入射式光电芯片及其封装结构,一种正入射光电芯片,包括衬底、吸收层和顶层,吸收层位于衬底和顶层之间,顶层相对衬底更靠近芯片的正面;芯片上开设分光孔,分光孔贯穿吸收层;芯片的正面上还设有吸光区和第一电极,第一电极位于吸光区的外侧;以芯片的正面为入光侧,入射光的一部分从分光孔透射分出,入射光的另一部分从吸光区进入到吸收层内进行光电转换;故本实用新型提供的正入射式光电芯片既能够分光,又能够对入射光的光功率进行监控;进而使用本实用新型提供的芯片的光路系统,无须使用光分路器进行分光,减少了系统体积,也降低了成本。
搜索关键词: 分光 本实用新型 光电芯片 吸收层 正入射 芯片 入射光 吸光区 顶层 衬底 第一电极 封装结构 光通信传输 光电转换 光分路器 光路系统 光功率 透射 分出 监控 贯穿
【主权项】:
1.一种正入射式光电芯片,其特征在于:包括衬底、吸收层和顶层,所述吸收层位于所述衬底和所述顶层之间,所述顶层相对所述衬底更靠近所述芯片的正面;所述芯片上开设分光孔,所述分光孔贯穿所述吸收层;所述芯片的正面上还设有吸光区和第一电极,所述第一电极位于所述吸光区的外侧;以所述芯片的正面为入光侧,入射光的一部分从所述分光孔透射分出,入射光的另一部分从所述吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换。
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