[实用新型]正入射式光电芯片及其封装结构有效
申请号: | 201822196276.8 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209401636U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜 | 申请(专利权)人: | 深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0232;G02B6/125 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 田俊峰 |
地址: | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分光 本实用新型 光电芯片 吸收层 正入射 芯片 入射光 吸光区 顶层 衬底 第一电极 封装结构 光通信传输 光电转换 光分路器 光路系统 光功率 透射 分出 监控 贯穿 | ||
1.一种正入射式光电芯片,其特征在于:包括衬底、吸收层和顶层,所述吸收层位于所述衬底和所述顶层之间,所述顶层相对所述衬底更靠近所述芯片的正面;所述芯片上开设分光孔,所述分光孔贯穿所述吸收层;
所述芯片的正面上还设有吸光区和第一电极,所述第一电极位于所述吸光区的外侧;
以所述芯片的正面为入光侧,入射光的一部分从所述分光孔透射分出,入射光的另一部分从所述吸光区进入到所述吸收层内进行光电转换。
2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:所述顶层内设有光敏区;所述光敏区的内端与所述吸收层相连接,所述光敏区的外端与所述第一电极相连接;所述吸光区与所述光敏区有重叠区域。
3.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:所述分光孔向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层。
4.根据权利要求3所述的芯片,其特征在于:所述衬底与所述吸收层之间还设有缓冲层,所述分光孔的内端位于所述缓冲层。
5.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:所述芯片的背面上设有第二电极,所述第二电极与所述衬底相连接。
6.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:所述吸光区内设有入光增透膜。
7.根据权利要求4所述的芯片,其特征在于:所述分光孔的内端设有透光增透膜。
8.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于:所述芯片的背面设有出光增透膜,所述出光增透膜的面积大于所述分光孔沿平行于所述芯片表面方向的横截面积。
9.根据权利要求2所述的芯片,其特征在于:所述光敏区沿平行于所述芯片表面方向的横截面呈环形并围绕所述分光孔设置,所述吸光区呈环形并围绕所述分光孔设置,所述第一电极沿平行于所述芯片表面方向的横截面呈环形并围绕所述吸光区设置。
10.一种正入射式光电芯片的封装结构,其特征在于:包括管壳和正入射式光电芯片,所述正入射式光电芯片为权利要求1-9任一所述的正入射式光电芯片;所述芯片设于所述管壳内,所述管壳上设有第一光纤接口和第二光纤接口;所述第一光纤接口和所述第二光纤接口分别设于芯片的正面和背面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的