[实用新型]一种双排结构内绝缘型塑封半导体器件

权利要求书

1.一种双排结构内绝缘型塑封半导体器件，包括双排散热片架、引线脚架、可控硅芯片、铜片、塑封料，其特征在于：所述双排散热片架与引线脚架之间设置有DBC陶瓷片，所述可控硅芯片置于引线脚架上，所述铜片置于可控硅芯片上，所述铜片采取双排双列结构，所述塑封料封装在双排散热片架、DBC陶瓷片、引线脚架、可控硅芯片、铜片外侧。

2.根据权利要求1所述的双排结构内绝缘型塑封半导体器件，其特征在于在：所述双排散热片架包括散热片架连接筋、双排散热片架焊接排气槽、防水槽、结合力增强反压台，所述散热片架连接筋位于双排散热片架两侧，所述双排散热片架焊接排气槽位于双排散热片架另外两侧，所述双排散热片架焊接排气槽为V型，深度为0.02-0.06mm，所述结合力增强反压台位于双排散热片架焊接排气槽外侧，所述防水槽位于双排散热片架与双排散热片架焊接排气槽之间，所述双排散热片架通过散热片架连接筋相互连接。

3.根据权利要求1所述的双排结构内绝缘型塑封半导体器件，其特征在于在：所述引线脚架上设有环形冲胶孔、凸台、引线脚架焊接排气槽、CLIP焊接定位平台、外引线脚，所述凸台高出CLIP焊接定位平台0.10-0.20mm，所述引线脚架焊接排气槽为V型，深度为0.02-0.06mm。

4.根据权利要求1所述的双排结构内绝缘型塑封半导体器件，其特征在于在：所述可控硅芯片表面镀有银层，所述可控硅芯片为阳极面朝下，置于引线脚架的凸台上，所述可控硅芯片阴极区与引线脚架的CLIP焊接定位平台通过连接桥片连接。