[实用新型]一种防漏电LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种防漏电LED芯片，包括发光结构，设于第二半导体层上的透明导电层；设于第一半导体层上的第一电极，设于透明导电层上的第二电极；绝缘层，所述绝缘层覆盖在第一裸露区域的表面和侧壁、第二裸露区域的表面和侧壁、第一电极的侧壁、以及第二电极的侧壁；其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层由SiO₂制成，第二绝缘层由SiN制成。本实用新型在发光结构的侧壁设置绝缘层，防止芯片与焊线接触而发生短路漏电。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种防漏电LED芯片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

其中，LED芯片在封装过程中，封装方式、封装材料、封装环境等因素均对LED芯片的性能产生较大的影响。在LED芯片的封装过程中，封装焊线过程中使用的线材一般为金属线材，焊线在制程过程中容易出现塌线，接触到LED芯片的侧边，由于传统LED芯片的侧边没有保护结构，外延层直接裸露出来，因此LED芯片在通电后，焊线塌陷接触LED芯片的侧边形成短路漏电。

现有技术只能通过改变封装过程中的LED芯片的排布设计，尽量避免塌线接触到LED芯片的侧边，无法根本解决塌线接触后芯片漏电的问题。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种防漏电LED芯片，在发光结构的侧壁形成保护结构，防止芯片与焊线接触而发生短路漏电。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种防漏电LED芯片，包括：

发光结构，所述发光结构包括衬底，设于衬底上的外延层，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，位于外延层边缘的第一裸露区域，以及与第一裸露区域连通的第二裸露区域，其中，第一裸露区域贯穿第二半导体层、有源层和第一半导体层并延伸至衬底表面，第二裸露区域贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层；

设于第二半导体层上的透明导电层；

设于第一半导体层上的第一电极，设于透明导电层上的第二电极；

绝缘层，所述绝缘层覆盖在第一裸露区域的表面和侧壁、第二裸露区域的表面和侧壁、第一电极的侧壁、以及第二电极的侧壁；

其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层由SiO₂制成，第二绝缘层由SiN制成。

作为上述方案的改进，第一裸露区域和第二裸露区域的侧壁具有预设的倾斜角度。

作为上述方案的改进，第一裸露区域和第二裸露区域侧壁的倾斜角度为3-15度。

作为上述方案的改进，第一绝缘层的厚度为1000-3000埃，第二绝缘层的厚度为5000-10000埃。

作为上述方案的改进，第一绝缘层的厚度为1500-2500埃，第二绝缘层的厚度为6000-8000埃。

作为上述方案的改进，所述透明导电层的面积小于第二半导体层的面积。

实施本实用新型，具有如下有益效果：