[实用新型]一种防漏电LED芯片有效
| 申请号： | 201821420175.8 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN208781883U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 葛玉龙 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 侧壁 本实用新型 透明导电层 半导体层 第二电极 第一电极 发光结构 裸露区域 防漏电 绝缘层覆盖 漏电 短路 焊线 芯片 | ||
1.一种防漏电LED芯片，其特征在于，包括：
发光结构，所述发光结构包括衬底，设于衬底上的外延层，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，位于外延层边缘的第一裸露区域，以及与第一裸露区域连通的第二裸露区域，其中，第一裸露区域贯穿第二半导体层、有源层和第一半导体层并延伸至衬底表面，第二裸露区域贯穿第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层；
设于第二半导体层上的透明导电层；
设于第一半导体层上的第一电极，设于透明导电层上的第二电极；
绝缘层，所述绝缘层覆盖在第一裸露区域的表面和侧壁、第二裸露区域的表面和侧壁、第一电极的侧壁、以及第二电极的侧壁；
其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层由SiO2制成，第二绝缘层由SiN制成。
2.如权利要求1所述的防漏电LED芯片，其特征在于，第一裸露区域和第二裸露区域的侧壁具有预设的倾斜角度。
3.如权利要求2所述的防漏电LED芯片，其特征在于，第一裸露区域和第二裸露区域侧壁的倾斜角度为3-15度。
4.如权利要求1所述的防漏电LED芯片，其特征在于，第一绝缘层的厚度为1000-3000埃，第二绝缘层的厚度为5000-10000埃。
5.如权利要求4所述的防漏电LED芯片，其特征在于，第一绝缘层的厚度为1500-2500埃，第二绝缘层的厚度为6000-8000埃。
6.如权利要求1所述的防漏电LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的面积小于第二半导体层的面积。
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