[实用新型]LED芯片

说明书

本实用新型实施例提供了一种LED芯片，包括：依次形成在衬底上的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；形成在第二导电类型半导体层的缺口，暴露出部分第一导电类型半导体层；形成在衬底边缘位置的第一通孔和第二通孔；形成在第一通孔内壁的第一内壁绝缘层和形成在第二通孔内壁的第二内壁绝缘层；形成在第一内壁绝缘层内的第一金属附着层，延伸至第二导电类型半导体层表面和衬底表面；形成在第二内壁绝缘层内的第二金属附着层，延伸至第一导电类型半导体层表面和衬底表面。本实用新型提供的技术方案，通过通孔内填充的金属附着层，分别将LED芯片内的半导体层的电信号引出，提高了LED芯片的稳定性，提升了LED芯片的产品性能。

技术领域

本实用新型属于光电子技术领域，尤其涉及一种LED芯片。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)因其高亮度、低热量、长寿命等优点，被称为21世纪最有发展前景的绿色照明光源，被用于各种应用产品包括光源、照明设备、智能终端等。而在智能终端日益轻薄化，可穿戴电子备受瞩目的今天，LED芯片的封装大小和功能的融合变得日趋重要。

现有技术中的LED芯片的封装结构中，LED的芯片包括的第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层的电信号的引出，是通过焊线实现的，具体的，通过焊线分别与第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层电连接。焊线和外部焊盘电连接。

但是焊线分别与第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层电连接的结构，稳定性较差，极大影响了LED芯片的产品性能。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出一种LED芯片，解决了现有技术中通过焊线分别与第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层电连接的结构，稳定性较差，极大影响了LED芯片的产品性能的技术问题。

本实用新型实施例提供了一种LED芯片，包括：

衬底；

依次形成在衬底上的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；

形成在所述第二导电类型半导体层边缘位置的缺口，贯穿所述第二导电类型半导体层和所述发光层，暴露出部分所述第一导电类型半导体层；

形成在所述衬底边缘位置的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔贯穿所述衬底、所述第一导电类型半导体层、所述发光层和所述第二导电类型半导体层；所述第二通孔，在垂直于所述衬底长度的延伸方向上，所述第二通孔在所述衬底上的投影位于所述缺口在所述衬底上的投影内，所述第二通孔贯穿所述衬底和所述第一导电类型半导体层；

形成在所述第一通孔内壁的第一内壁绝缘层和形成在所述第二通孔内壁的第二内壁绝缘层；

形成在所述第一内壁绝缘层内的第一金属附着层，延伸至所述第二导电类型半导体层表面和所述衬底表面；

形成在所述第二内壁绝缘层内的第二金属附着层，延伸至所述第一导电类型半导体层表面和所述衬底表面。

可选的，还包括形成在所述衬底远离所述第一导电类型半导体层的表面的第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与延伸至所述衬底表面的所述第一金属附着层电连接，所述第二焊盘与延伸至衬底表面的所述第二金属附着层电连接。

可选的，还包括出光层，覆盖所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层、延伸至所述第二导电类型半导体层表面的第一金属附着层和延伸至所述第一导电类型半导体层表面的第二金属附着层。

可选的，所述第一内壁绝缘层包括多层绝缘材料形成的叠层。

可选的，所述第二内壁绝缘层包括多层绝缘材料形成的叠层。

可选的，在所述第一通孔内，所述第一金属附着层填充满所述第一内壁绝缘层形成的空间。