[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201821414026.0 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN208608219U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 张文雁 | 申请（专利权）人： | 深圳合作照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 内壁 导电类型半导体层 第一导电类型 金属附着层 半导体层 通孔 本实用新型 衬底表面 通孔内壁 半导体层表面 产品性能 衬底边缘 发光层 延伸 衬底 填充 暴露 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
依次形成在衬底上的第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层；
形成在所述第二导电类型半导体层边缘位置的缺口，贯穿所述第二导电类型半导体层和所述发光层，暴露出部分所述第一导电类型半导体层；
形成在所述衬底边缘位置的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔贯穿所述衬底、所述第一导电类型半导体层、所述发光层和所述第二导电类型半导体层；所述第二通孔，在垂直于所述衬底长度的延伸方向上，所述第二通孔在所述衬底上的投影位于所述缺口在所述衬底上的投影内，所述第二通孔贯穿所述衬底和所述第一导电类型半导体层；
形成在所述第一通孔内壁的第一内壁绝缘层和形成在所述第二通孔内壁的第二内壁绝缘层；
形成在所述第一内壁绝缘层内的第一金属附着层，延伸至所述第二导电类型半导体层表面和所述衬底表面；
形成在所述第二内壁绝缘层内的第二金属附着层，延伸至所述第一导电类型半导体层表面和所述衬底表面。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，
还包括形成在所述衬底远离所述第一导电类型半导体层的表面的第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与延伸至所述衬底表面的所述第一金属附着层电连接，所述第二焊盘与延伸至衬底表面的所述第二金属附着层电连接。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，
还包括出光层，覆盖所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层、延伸至所述第二导电类型半导体层表面的第一金属附着层和延伸至所述第一导电类型半导体层表面的第二金属附着层。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，
所述第一内壁绝缘层包括多层绝缘材料形成的叠层。
5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，
所述第二内壁绝缘层包括多层绝缘材料形成的叠层。
6.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，
在所述第一通孔内，所述第一金属附着层填充满所述第一内壁绝缘层形成的空间。
7.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，
在所述第二通孔内，所述第二金属附着层填充满所述第二内壁绝缘层形成的空间。
8.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，
还包括驱动电路，分别与所述第一焊盘和所述第二焊盘电连接。
9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，
所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者，
所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
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