[实用新型]一种硅片背面损伤用石英玻璃喷头有效
| 申请号: | 201821169530.9 | 申请日: | 2018-07-24 |
| 公开(公告)号: | CN208608168U | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
| 发明(设计)人: | 徐信富;郭金娥;杜亮;韩进军;周银平;王建伟;徐茂圣;苗战彪 | 申请(专利权)人: | 洛阳市鼎晶电子材料有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 洛阳润诚慧创知识产权代理事务所(普通合伙) 41153 | 代理人: | 智宏亮 |
| 地址: | 471300 河南省洛*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 卡块 喷头 卡槽 磨损 损伤 硅片背面 石英玻璃 固定轴 本实用新型 硅片技术 喷砂处理 硅片 生产成本 | ||
一种硅片背面损伤用石英玻璃喷头,涉及硅片技术领域,包括喷头、固定轴、凹槽、磨损条、第一卡块、第二卡块和卡槽,在喷头上设有固定轴和凹槽,凹槽内设有卡槽,卡槽上设有磨损条,磨损条上设有第一卡块和第二卡块;本实用新型结构简单、实用性强,不但可以有效完成硅片背面的损伤,而且与喷砂处理的方式相比较大大降低了生产成本,为企业带来了经济效益。
技术领域
本实用新型涉及硅片技术领域,尤其是涉及一种硅片背面损伤用石英玻璃喷头。
背景技术
公知的,在集成电路的生产过程中,单晶硅晶圆片表面的金属沾污及缺陷会在硅中引入半导体深能级,形成复合中心,降低少子寿命,还可能在绝缘层中沉淀从而引起电路的击穿,引起器件失效,因此为了提高晶体管和集成电路的成品率和可靠性,除了制造高质量单晶硅晶圆片之外,还用“吸杂”的方式,在背面引入物理损伤,经过适当的热处理工艺,吸引硅中的杂质在硅片的背面或硅片内部沉淀,从而在硅片表面形成无缺陷的洁净区,目前较常用是在硅片背面进行喷砂处理,引入机械损伤以其可以俘获在制造工艺中引入的可移动金属离子污染的优点成为行业内较为通用的工艺技术。
实用新型内容
为了克服背景技术中的不足,本实用新型公开了一种硅片背面损伤用石英玻璃喷头,本实用新型通过在喷头上设置凹槽,在凹槽内设置卡槽和磨损条,以此来实现硅片的背面损伤的目的。
为了实现所述实用新型目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种硅片背面损伤用石英玻璃喷头,包括喷头、固定轴、凹槽、磨损条、第一卡块、第二卡块和卡槽,在喷头上设有固定轴和凹槽,凹槽内设有卡槽,卡槽上设有磨损条,磨损条上设有第一卡块和第二卡块。
所述喷头为圆型结构, 喷头的顶部面上设有一个固定轴和若干个凹槽。
所述固定轴为圆柱型结构,固定轴设置在喷头的中心,固定轴的顶部面与喷头相平齐,喷头以固定轴为中心进行转动。
所述凹槽为圆型结构,凹槽均匀分布在喷头的顶部面上。
所述凹槽的内侧壁上设有卡槽,卡槽为圆环型结构,卡槽环绕在凹槽的内侧壁上,卡槽与凹槽的顶边和底边相平行。
所述磨损条为长方型结构,磨损条设置在凹槽的内部,磨损条的底部与凹槽的内底面相连接,磨损条的顶部高于凹槽的顶部面,在磨损条的两端分别设有第一卡块和第二卡块。
所述第一卡块和第二卡块结构相同,第一卡块和第二卡块呈对称结构设置在磨损条的两端,第一卡块和第二卡块均与磨损条的端面呈垂直结构连接,第一卡块和第二卡块分别卡在磨损条两端的卡槽内部。
由于采用了上述技术方案,本实用新型具有如下有益效果:
本实用新型所述的一种硅片背面损伤用石英玻璃喷头,包括喷头、固定轴、凹槽、磨损条、第一卡块、第二卡块和卡槽,通过在喷头上设置凹槽,在凹槽内设置卡槽和磨损条,以此来实现硅片的背面损伤的目的;本实用新型结构简单、实用性强,不但可以有效完成硅片背面的损伤,而且与喷砂处理的方式相比较大大降低了生产成本,为企业带来了经济效益。
附图说明
图1为本实用新型喷头的正视结构示意图;
图2为本实用新型凹槽和磨损条的剖面结构示意图;
图3为本实用新型凹槽和卡槽的位置结构示意图;
图中:1、喷头;2、固定轴;3、凹槽;4、磨损条;5、第一卡块;6、第二卡块;7、卡槽。
具体实施方式
通过下面的实施例可以详细的解释本实用新型,公开本实用新型的目的旨在保护本实用新型范围内的一切技术改进。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





