[实用新型]用于具有自偏置掩埋层的半导体器件的隔离结构

权利要求书

1.一种隔离结构，用于具有自偏置掩埋层的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构包括：自隔离块状半导体衬底、沟槽隔离结构、第一导电类型的第二掺杂区以及第一隔离器件，

所述自隔离块状半导体衬底具有第一主表面和相对的第二主表面，其中所述自隔离块状半导体衬底包括：

第一导电类型的浮动掩埋掺杂区；

设置在所述浮动掩埋掺杂区与所述第一主表面之间的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂区，其中所述第一掺杂区邻接所述浮动掩埋掺杂区；以及

设置在所述浮动掩埋掺杂区与所述第二主表面之间的所述第二导电类型的半导体区；

所述沟槽隔离结构从所述第一主表面延伸穿过所述第一掺杂区，延伸穿过所述浮动掩埋掺杂区，并且延伸进入所述半导体区中，其中所述浮动掩埋掺杂区邻接所述沟槽隔离结构；

所述第一导电类型的第二掺杂区在所述第一掺杂区内；

所述第一隔离器件设置在所述第二掺杂区与所述沟槽隔离结构之间的所述第一掺杂区中，所述第一隔离器件包括：

所述第一导电类型的第一隔离第一掺杂区；以及

设置在所述第二掺杂区与所述第一隔离第一掺杂区之间的所述第二导电类型的第一隔离第二掺杂区，其中所述第一隔离第一掺杂区被电短接到所述第一隔离第二掺杂区。

2.根据权利要求1所述的隔离结构，其中，所述第一隔离器件还包括设置在所述第一隔离第一掺杂区与所述沟槽隔离结构之间的所述第二导电类型的第一隔离第三掺杂区。

3.根据权利要求2所述的隔离结构，其中，所述第一隔离第三掺杂区被电短接到所述第一隔离第一掺杂区和所述第一隔离第二掺杂区。

4.根据权利要求2所述的隔离结构，其中，

所述沟槽隔离结构包括导电材料，所述导电材料通过电介质材料与所述自隔离块状半导体衬底分开；

所述结构还包括设置在所述第二掺杂区第一隔离器件与所述沟槽隔离结构之间的第二隔离器件，所述第二隔离器件包括所述第二导电类型的第二隔离第一掺杂区；并且

所述第二隔离第一掺杂区延伸进入所述第一掺杂区中的深度大于所述第一隔离第二掺杂区和所述第一隔离第三掺杂区。

5.根据权利要求1所述的隔离结构，其中，所述隔离结构还包括第二隔离器件，所述第二隔离器件包括设置在所述第一隔离器件与所述沟槽隔离结构之间的所述第二导电类型的第二隔离第一掺杂区，其中所述第二隔离第一掺杂区延伸进入所述第一掺杂区中的深度大于所述第一隔离第一掺杂区和所述第一隔离第二掺杂区。

6.根据权利要求1所述的隔离结构，其中，所述浮动掩埋掺杂区包括：

毗邻所述第一掺杂区的第一区域；

设置在所述第一区域与所述半导体区之间的第二区域，其中所述第一区域具有比所述第二区域低的掺杂物浓度；以及

设置在所述第二区域与所述半导体区之间的第三区域，其中所述第三区域具有比所述第二区域低的掺杂物浓度。