[实用新型]一种POWER封装防氧化冷却系统有效
| 申请号： | 201821097420.6 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN208478301U | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 袁宏承 | 申请（专利权）人： | 无锡市宏湖微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京润文专利代理事务所(普通合伙) 11317 | 代理人： | 王晔 |
| 地址： | 214000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导轨 冷却系统 防氧化 封装 冷却介质槽 上盖板 本实用新型 保护气体 导轨末端 冷却出口 冷却风扇 冷却进口 应力问题 逐步冷却 腰型孔 上端 急冷 背面 背后 保证 | ||
1.一种POWER封装防氧化冷却系统，其特征在于：包括导轨(1)，所述导轨(1)上设置便于产品经过的凹槽(11)，到导轨(1)上端罩上盖板(2)，通过上盖板(2)封住凹槽(11)上侧，并在凹槽(11)内通入保护气体，所述导轨(1)末端背面还安装冷却风扇(3)，所述导轨(1)内部还开设冷却介质槽(4)，所述冷却介质槽(4)上开设冷却进口(41)和冷却出口(42)，所述导轨(1)背后还开设安装腰型孔(12)。
2.根据权利要求1所述的POWER封装防氧化冷却系统，其特征在于：所述冷却介质槽(4)包括交错的横向介质槽(43)和纵向介质槽(44)，所述冷却进口(41)和冷却出口(42)与横向介质槽(43)连通，所述横向介质槽(43)和纵向介质槽(44)两端通过堵头(45)封堵。
3.根据权利要求1或2所述的POWER封装防氧化冷却系统，其特征在于：所述冷却介质槽(4)内的冷却介质为冷却液或冷却气体。
4.根据权利要求1所述的POWER封装防氧化冷却系统，其特征在于：所述导轨(1)背面开设螺丝孔(13)，所述冷却风扇(3)通过连接螺丝固定在导轨(1)背面。
5.根据权利要求1所述的POWER封装防氧化冷却系统，其特征在于：所述导轨(1)的凹槽(11)末端设置出料倒角(14)。
6.根据权利要求1所述的POWER封装防氧化冷却系统，其特征在于：所述导轨(1)一侧还设置安装传感器的传感器固定孔(15)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
