[实用新型]电容器及半导体存储器

权利要求书

1.一种电容器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上设置绝缘层，所述绝缘层中间隔设置若干存储节点接触塞；

下电极，经由电容支撑结构间隔设置在所述存储节点接触塞上；所述电容支撑结构设置在所述绝缘层上，所述电容支撑结构中形成有若干电容成型孔，以配置所述下电极；所述电容支撑结构中形成有显露多个邻近的所述电容成型孔的电容开孔；所述下电极的端口显露于所述电容开孔中；以及

上电极，包括上电极填充物，所述上电极填充物填充在所述电容成型孔中，且经由所述电容开孔填充在所述电容支撑结构的内部和外部；

其中，所述下电极显露于所述电容开孔内的端口高度平齐于所述电容支撑结构的顶部支撑层的上表面。

2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，还包括电容介质层，形成在所述下电极的表面以及所述电容支撑结构的各支撑层表面；

所述上电极还包括上电极层，所述上电极层覆盖在所述电容介质层的表面，所述上电极填充物与在所述上电极层表面接合。

3.如权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述电容介质层具有三层电介质结构，第一层电介质结构与所述下电极的表面及所述支撑层表面接合，所述第一层电介质结构的材料包含钛氧化物；第二层电介质结构设置于所述第一层电介质结构上，所述第二层电介质结构的材料包含氧化铝；第三层电介质结构设置于所述第二层电介质结构上，所述第三层电介质结构的材料包含锆氧化物。

4.如权利要求3所述的电容器，其特征在于，所述电容介质层的厚度不大于10nm，且所述第二层电介质结构的厚度介于1-2nm。

5.如权利要求3所述的电容器，其特征在于，所述支撑层包括底部支撑层，中部支撑层和顶部支撑层，所述底部支撑层与所述绝缘层接合。

6.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述下电极在所述电容开孔内和在所述电容开孔外的孔壁高度相等，并且所述下电极的其余顶部端口连接于所述电极支撑结构的所述顶部支撑层的上表面。

7.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述上电极填充物的材料包含硅锗。

8.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容开孔开设在由至少五个所述电容成型孔所围成的所述电容支撑结构区域中。

9.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容成型孔的位置与所述存储节点接触塞的位置相对应，并且所述电容成型孔的底部开口尺寸不小于所述存储节点接触塞的表面尺寸。

10.一种半导体存储器，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的电容器。