[实用新型]基板处理装置

说明书

本实用新型涉及一种基板处理装置，可以提供一种基板处理装置，其可以提高腔室的气密性，保持基板处理环境的恒定性。用于实现所述目的的本实用新型的基板处理装置包括：腔室，其用于进行基板处理；工艺流体供给管，其设置于所述腔室内部并向腔室内部供给工艺流体；引导部件，其引导所述工艺流体供给管的移动且形成有开口部；波纹管，其可以伸缩，包围所述工艺流体供给管并密闭所述开口部(210)。

技术领域

本实用新型涉及一种基板处理装置，更为详细地，涉及一种基板处理装置，其可以使得工艺流体供给管升降及旋转移动，并且提高腔室内部的气密性。

背景技术

最近，随着信息通信领域的急速发展和如计算机一样的信息媒体的大众化，半导体装置也在飞跃发展。此外，在其功能方面，根据半导体装置的元件高集成化趋势，减小形成于基板的分立器件的大小，另一方面，为了使得元件性能最大化，正在研究开发多种方法。

一般而言，通过反复进行如下多个基板处理而制造半导体元件：光刻(lithography)、沉积(Deposition)及蚀刻(etching)、涂覆(Coating)光刻胶(Photoresist)、显影(Develop)、清洗及干燥工艺等。

利用适合于各自目的的工艺流体而实现各个工艺，并且要求适合于各个工艺的工艺环境，因此，一般而言，通过在形成有与各个工艺相对应的环境的腔室内部收容基板而实现。

在经过各个工艺时，金属杂质、有机物等颗粒会残存于基板上，如上所述的污染物质会引起基板的工艺不良，对产品的收率及可靠性造成坏影响。

据此，为了去除颗粒，在各个工艺结束时反复进行的清洗及干燥工艺变得非常重要，为了防止外部颗粒流入，各个工艺在密封的工艺腔室进行。

清洗可以分为湿式清洗和干式清洗，其中湿式清洗广泛利用于半导体制造领域。湿式清洗是在每个步骤使用适合污染物质的化学物质来连续去除污染物质的方式，使用大量酸性和碱性的溶液来去除残留于基板上的污染物质。

参照图1和图2，对根据现有技术的基板处理装置进行说明。图2是图1的虚线标记部分的放大图。

根据现有技术的基板处理装置，包括：腔室1，其收容基板W并进行基板处理；工艺流体供给部30，其用于向所述腔室1内部供给工艺流体，从而进行基板处理。

所述工艺流体供给部30包括：工艺流体供给管31，其从外部向内部贯通所述腔室1，从而向所述腔室1内部供给所述工艺流体；喷嘴33，其向所述基板W上喷射所述工艺流体；喷嘴管32，其连接所述工艺流体供给管31和所述喷嘴33。

所述工艺流体供给管31设置为通过驱动部(未示出)的驱动进行升降及旋转，随着所述工艺流体供给管31的升降及旋转，所述喷嘴管32和所述喷嘴33进行升降及旋转，并在特定位置喷射工艺流体。

所述驱动部可以利用气缸构成。

所述工艺流体供给管31的周围设置有引导部件20，引导部件20引导所述工艺流体供给管31的升降及旋转移动。

所述引导部件20形成有开口部21，所述开口部21的一侧连接于所述腔室1的内部，开口部21的另一侧连接于所述腔室1的外部。

所述工艺流体供给管31贯通所述引导部件20的开口部21并连接所述腔室1的外部与内部，提供所述工艺流体。

此时，所述引导部件20与所述工艺流体供给管31之间存在间隙d，通过所述间隙d连接所述腔室1的内部与外部，因此所述腔室1内部的气密性下降，从而无法保障基板处理环境的恒定性。

此外，所述腔室1外部的污染物质通过所述间隙d流入所述腔室1内部，从而在所述基板W上可能产生工艺不良。