[实用新型]一种常关型氮化镓HEMT器件有效
| 申请号： | 201820833002.2 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN208781852U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 夏远洋;李亦衡;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 异质结构 插入层 氮化镓HEMT器件 半导体 二维电子气 上表面 势垒层 漏极 源极 导通电阻 电性接触 刻蚀工艺 沟道层 沉积 减薄 刻蚀 申请 穿过 | ||
1.一种常关型氮化镓HEMT器件，包括异质结构和与所述异质结构连接的源极、漏极和栅极，其特征在于，所述异质结构包括：
作为沟道层的第一半导体层和作为势垒层的第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述第一半导体层上，所述第一半导体层与所述第二半导体层之间形成有二维电子气；
所述第二半导体层上形成有半导体插入层，所述半导体插入层上形成有p型半导体层，所述栅极设置在所述p型半导体层的上表面，与所述p型半导体层电性接触；
所述源极和所述漏极通过刻蚀工艺，穿过所述p型半导体层沉积形成在所述半导体插入层的上表面。
2.如权利要求1所述的一种常关型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述半导体插入层的组成材料包括AlN、AlxGa(1-x)N中的任意一种或两种的组合，其中，x＞30%；
所述半导体插入层与所述第二半导体层的刻蚀选择比，大于所述p型半导体层与所述第二半导体层的刻蚀选择比。
3.如权利要求1或2所述的一种常关型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述半导体插入层的厚度大于等于0.5纳米且小于等于3纳米。
4.如权利要求1所述的一种常关型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述p型半导体的组成材料为p型氮化镓，所述p型半导体的厚度大于等于50纳米且小于等于150纳米。
5.如权利要求1所述的一种常关型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述第一半导体层的组成材料为氮化镓，所述第一半导体层的厚度大于等于50纳米且小于等于350纳米。
6.如权利要求1所述的一种常关型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述第二半导体层的组成材料为AlxGa(1-x)N，所述第二半导体层的厚度大于等于10纳米且小于等于30纳米，其中，10%≤x≤30%。
7.如权利要求1所述的一种常关型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述器件还包括衬底，所述衬底与所述第一半导体层之间分布有缓冲层。
8.如权利要求7所述的一种常关型氮化镓HEMT器件，其特征在于，所述衬底的组成材料包括硅、蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氮化铝中的任意一种或两种以上的组合，所述缓冲层的组成材料包括氮化镓或氮化铝镓。
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