[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体元件，其具有磁电转换功能，具备多个电极；

多个引线端子，在俯视时，该多个引线端子被配置于所述半导体元件的周围；

多个导体，该多个导体将所述半导体元件的所述多个电极与所述多个引线端子分别进行电连接；以及

密封体，其用于将所述半导体元件、所述引线端子以及所述多个导体密封，具有作为安装侧的面的密封体底面、作为与所述密封体底面相反的面的密封体上表面、以及从所述密封体底面的端部到所述密封体上表面的端部的密封体侧面，

其中，所述多个引线端子中的至少一个引线端子具有在所述密封体底面从所述密封体露出的端子底面、作为与所述端子底面相反的面的端子上表面、以及在所述密封体侧面从所述密封体露出的端子外侧面，

在截面观察时，所述端子外侧面的至少一部分从所述端子底面的端部向外侧突出。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述端子外侧面为平面或曲面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述多个引线端子的所述端子底面的合计面积小于0.08mm²。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述密封体由包含合成树脂的材料形成。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述合成树脂由绝缘性和线膨胀系数的值与引线端子的绝缘性和线膨胀系数的值相近的树脂材料形成。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述合成树脂包含热固性树脂和特氟纶中的至少一方。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述密封体包含陶瓷的填料或金属氧化物的填料。

8.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述引线端子的厚度为110μm以下。

9.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述密封体的厚度小于230μm。

10.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述端子外侧面为平面，所述端子外侧面与所述端子底面所形成的角度大于90°且为120°以下。

11.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述端子外侧面为曲面，

所述端子外侧面具有构成所述端子底面的第一边和作为所述端子上表面侧的边的第二边，

将所述第一边同所述第二边连接的虚拟平面与所述端子底面所形成的角度大于90°且为120°以下。

12.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有形成于所述端子底面的外壳镀层。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

所述外壳镀层由包含锡的材料形成，或者是将镍、钯、金依次层叠而形成的。

14.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件具有与所述多个电极电连接的活性层以及形成有所述活性层的基板，

所述基板的作为与所述活性层相反侧的面的背面从所述密封体底面露出，或者形成于所述背面的保护层从所述密封体底面露出。

15.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件为霍尔元件。