[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体芯片，其包括电极焊盘和绝缘膜，该电极焊盘具有第1接合面，该绝缘膜具有使所述电极焊盘的所述第1接合面露出的第1开口部；

第1导线，其与所述电极焊盘的所述第1接合面接合；以及

封固体，其以与所述电极焊盘的所述第1接合面接触的方式封固所述半导体芯片和所述第1导线，

所述第1接合面由金属构成，

所述封固体由绝缘材料构成，

在俯视观察时，所述第1接合面具有第1区域、第2区域、及位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域，

所述第1导线具有与所述第1接合面的所述第1区域接合的第1接合部、与所述第1接合面的所述第2区域接合的第2接合部、及位于所述第1接合部与所述第2接合部之间的第1中间部，

在俯视观察时，所述第1中间部沿着第1方向延伸，且所述第1中间部与所述第3区域分离，

在俯视观察时，所述第1区域在与所述第1方向正交的第2方向上的宽度、和所述第2区域在所述第2方向上的宽度，比所述第3区域在所述第2方向上的宽度大。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1开口部具有第1边和第2边，该第1边在所述第2方向上位于所述第1开口部的一端部且沿着所述第1方向延伸，该第2边位于所述第1边的相反侧的端部且沿着所述第1方向延伸，

所述第1边分别在所述第1区域与所述第3区域之间以及所述第2区域与所述第3区域之间弯曲，

所述第2边分别在所述第1区域与所述第3区域之间以及所述第2区域与所述第3区域之间弯曲。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在俯视观察时，所述第3区域在所述第2方向上的宽度小于或等于所述第1导线的所述第1中间部在所述第2方向上的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在所述第2方向上，第2导线配置在所述第1导线的旁边，

所述第1导线与所述第2导线在所述第2方向上的分离距离比所述第1导线的线径小。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在俯视观察时，所述第1开口部具有沿着所述第1方向延伸的第1边、及位于所述第1边的相反侧的第2边，

所述第1边在俯视观察时具有沿着所述第1区域延伸的第1部分、沿着所述第2区域延伸的第2部分、以及位于所述第1部分与所述第2部分之间且沿着所述第3区域延伸的第3部分，

所述第1边的所述第1部分的延长线与所述第3部分之间的宽度，比所述第1边的所述第3部分与所述第1导线的所述第1中间部之间的宽度大。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在俯视观察时，所述第1开口部具有沿着所述第1方向延伸的第1边及位于所述第1边的相反侧的第2边，

所述第1边在俯视观察时具有沿着所述第1区域延伸的第1部分、沿着所述第2区域延伸的第2部分、以及位于所述第1部分与所述第2部分之间且沿着所述第3区域延伸的第3部分，

所述第2边在俯视观察时具有沿着所述第1区域延伸的第4部分、沿着所述第2区域延伸的第5部分、以及位于所述第4部分与所述第5部分之间且沿着所述第3区域延伸的第6部分，

所述第1边的所述第3部分位于所述第1部分的延长线与所述第2边之间，

所述第2边的所述第6部分位于所述第4部分的延长线与所述第1边之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1接合面的所述第1区域具有沿着所述第2方向突出的第1突出部，

在俯视观察时，所述第1突出部在所述第1方向上的长度比所述第1区域在所述第1方向上的长度短。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

在俯视观察时，所述第1突出部在所述第2方向上的长度比所述第1突出部在所述第1方向上的长度短。