[实用新型]晶圆清洗装置有效
申请号: | 201820244979.0 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN207752980U | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 卢思源;赵黎;刘家桦 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卡盘 晶圆清洗装置 本实用新型 腔体内壁 腔体内部 去离子水 喷嘴 清洗 半导体制造技术 化学药液 清洗装置 轴向旋转 晶圆 腔体 制程 种晶 喷射 残留 | ||
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆清洗装置。所述晶圆清洗装置,包括腔体以及位于所述腔体内部的卡盘,还包括喷嘴;所述喷嘴用于向所述卡盘喷射去离子水;所述卡盘能够绕其轴向旋转,以将所述卡盘上的去离子水抛甩至所述腔体内壁,实现对所述卡盘和腔体内壁的清洗。本实用新型实现了腔体内部残留化学药液结晶的及时、自动的清洗,确保了晶圆制程高效、稳定的进行。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆清洗装置。
背景技术
随着特征尺寸的不断缩小,对晶圆制造过程中湿法清洗工艺的要求越来越高。湿法清洗通常采用化学药液和去离子水作为清洗剂,经过一系列的清洗工艺步骤,以实现对晶圆表面污染物的去除。现有技术中的晶圆湿法清洗分为槽式清洗和单片式清洗。随着对晶圆表面洁净度的要求越来越高,而单片式清洗可以降低清洗过程中的交叉污染、提高成品率,因此,现有的湿法清洗逐渐由传统的槽式清洗向单片式清洗过渡。
单片式清洗通常是在晶圆清洗装置中进行,例如型号为LAM DV34的湿法清洗装置。在湿法清洗过程中使用的化学药液中经常包含一些易结晶析出的化学品,例如结晶温度为65℃的TMAH(四甲基氢氧化铵)、结晶温度为130℃的SPM(H2SO4、H2O2和H2O的混合溶液)等,这些化学药液在高温环境下易失去水分析出结晶。然而,目前的晶圆清洗装置中没有自动清洗腔体和卡盘的结构。在所述晶圆清洗装置完成对晶圆的清洗后,如不能及时除去附着于卡盘边缘、腔体内壁和药液回收管道中的残留结晶,会产生如下问题:一方面,在进行药液回收时,残留的结晶会掉落在药液回收槽中,从而对回收药液的纯度造成影响,不利于后续处理工序的进行;另一方面,附着于卡盘边缘、腔体内壁的结晶易掉落从而堵塞位于所述卡盘上的气孔,影响卡盘销的开合,从而影响晶圆清洗制程的稳定进行。为了清除附着于卡盘边缘、腔体内壁和药液回收管道中的残留结晶,现有的做法是对所述晶圆清洗装置进行停机、开腔、手动维护,这不仅会增大清洗成本,而且会导致晶圆生产效率的降低。
因此,如何及时、快速、高效的清除所述晶圆清洗装置内部残留的化学结晶,确保晶圆制程高效的进行,是目前亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种晶圆清洗装置,用以解决现有技术中不能及时、自动的清除晶圆清洗装置内部残留化学结晶的问题,以确保晶圆制程高效、稳定的进行。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种晶圆清洗装置,包括腔体以及位于所述腔体内部的卡盘,还包括喷嘴;所述喷嘴用于向所述卡盘喷射去离子水;所述卡盘能够绕其轴向旋转,以将所述卡盘上的去离子水抛甩至所述腔体内壁,实现对所述卡盘和腔体内壁的清洗。
优选的,还包括设置于所述腔体底部、用于支撑所述卡盘的支撑柱;所述支撑柱能够带动所述卡盘沿竖直方向进行升降运动。
优选的,还包括与所述腔体连通、用于回收化学药液的回收管道,所述回收管道中设置有三向阀,用以将清洗所述卡盘和所述腔体内壁产生的废液与清洗晶圆过程中的回收药液分离。
优选的,所述回收管道包括均与所述腔体连通的第一回收管道和第二回收管道,所述第一回收管道与所述第二回收管道中均设置有三向阀,且所述第一回收管道设置于所述第二回收管道上方。
优选的,还包括与所述腔体连通的去离子水管道;所述去离子水管道,设置于所述第一回收管道上方,用于回收从所述腔体排出的去离子水。
优选的,还包括第一电机;所述第一电机,连接所述支撑柱,用于调整所述支撑柱带动所述卡盘沿竖直方向进行升降运动的速度。
优选的,还包括第二电机;所述第二电机,连接所述卡盘,用于调整所述卡盘绕其轴向进行旋转运动的转速。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造