[实用新型]晶圆清洗装置有效
申请号: | 201820244979.0 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN207752980U | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 卢思源;赵黎;刘家桦 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卡盘 晶圆清洗装置 本实用新型 腔体内壁 腔体内部 去离子水 喷嘴 清洗 半导体制造技术 化学药液 清洗装置 轴向旋转 晶圆 腔体 制程 种晶 喷射 残留 | ||
1.一种晶圆清洗装置,包括腔体以及位于所述腔体内部的卡盘,其特征在于,还包括喷嘴;所述喷嘴用于向所述卡盘喷射去离子水,所述卡盘能够绕其轴向旋转,以将所述卡盘上的去离子水抛甩至所述腔体内壁,实现对所述卡盘和腔体内壁的清洗。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括设置于所述腔体底部、用于支撑所述卡盘的支撑柱;所述支撑柱能够带动所述卡盘沿竖直方向进行升降运动。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括与所述腔体连通、用于回收化学药液的回收管道,所述回收管道中设置有三向阀,用以将清洗所述卡盘和所述腔体内壁产生的废液与清洗晶圆过程中的回收药液分离。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述回收管道包括均与所述腔体连通的第一回收管道和第二回收管道,所述第一回收管道与所述第二回收管道中均设置有三向阀,且所述第一回收管道设置于所述第二回收管道上方。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括与所述腔体连通的去离子水管道;所述去离子水管道,设置于所述第一回收管道上方,用于回收从所述腔体排出的去离子水。
6.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括第一电机;所述第一电机,连接所述支撑柱,用于调整所述支撑柱带动所述卡盘沿竖直方向进行升降运动的速度。
7.根据权利要求6所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括第二电机;所述第二电机,连接所述卡盘,用于调整所述卡盘绕其轴向进行旋转运动的转速。
8.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,还包括电磁阀;所述电磁阀,连接所述喷嘴,用于调节从所述喷嘴喷出的去离子水的流量。
9.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述喷嘴还用于向所述卡盘喷射气体,以清除所述卡盘及所述腔体内壁残留的去离子水。
10.根据权利要求9所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述气体为氮气、氦气、氖气、氩气中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造