[实用新型]喷嘴单元及具备其的基板处理装置

说明书

本实用新型涉及一种喷嘴单元及具备其的基板处理装置，喷嘴单元包括：第一喷射喷嘴，其向基板的表面喷射包含振动能的振动流体；第二喷射喷嘴，其以倾斜的形式向基板的表面喷射清洗流体，清洗流体用于对通过振动流体而从基板分离出的异物进行清洗，据此，可以提高基板的清洗效率并可以提升清洗效果。

技术领域

本实用新型涉及一种喷嘴单元及具备其的基板处理装置，所述喷嘴单元及具备其的基板处理装置可以提高基板的清洗效率，并且可以提升清洗效果。

背景技术

半导体元件是由微细的电路线以高密度的形式集成而制造的，据此，需要在晶元表面进行与此相应的精密研磨。为了更加精密地进行晶元的研磨，可以进行机械研磨和化学研磨并行的化学机械研磨工艺(CMP工艺)。

化学机械研磨(CMP)工艺是一种在半导体元件制造过程中，为了实现根据全面平坦化和用于形成电路的接触(contact)/配线膜分离及集成元件化的晶元表面粗糙度提高等而对晶元的表面进行精密研磨加工的工艺，所述全面平坦化是指去除由通过反复进行掩蔽(masking)、蚀刻(etching)及配线工艺等而生成的晶元表面的凹凸所造成的单元(cell)区域与周围电路区域间的高度差。

所述CMP工艺通过如下形式进行：以晶元的工艺面与研磨垫相面对的状态对所述晶元进行加压并同时进行工艺面的化学研磨和机械研磨，完成研磨工艺的晶元被研磨头抓握并进行清洗掉沾在工艺面的异物的清洗工艺。

换句话说，如图1所示，一般，晶元的化学机械研磨工艺通过以下形式进行：如果晶元从装载单元20被供给至化学研磨系统X1，则使得晶元W以紧贴于载体头S1、S2、S1'、S2'；S的状态沿着规定路径Po移动66-68的同时在多个研磨平板P1、P2、P1'、P2'上进行化学机械研磨工艺。进行了化学机械研磨工艺的晶元W通过载体头S被转移至卸载单元的放置架10，并被转移至进行下一个清洗工艺的清洗单元X2，从而在多个清洗模块70进行清洗沾在晶元W上的异物的工艺。

另外，即使在清洗模块完成晶元的清洗工艺后也会在晶元的表面残留异物。因此，实情为，在进行下一个工艺(例如，薄膜蒸镀工艺)之前额外进行用于去除残留在晶元表面的异物的后清洗工艺(post cleaning process)。

但是，在现有技术中需要和清洗模块分开地额外设置后清洗装备，因此问题在于，不仅不利于设备的布局，而且晶元的移送及清洗处理工艺变得复杂，清洗时间增加，因而具有费用上升且收率降低的问题。

因此，虽然最近进行了用于提高基板的清洗效率及收率并节省费用的多种研究，但仍然不足，从而需要对此的开发。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种喷嘴单元及具备其的基板处理装置，所述喷嘴单元及具备其的基板处理装置能够提高基板的清洗效率，提升清洗效果。

另外，本实用新型的目的在于，可以有效地去除残留于基板的异物，并可以提高收率。

另外，本实用新型的目的在于，可以提升设计自由度，并可以使得设备小型化。

另外，本实用新型的目的在于，可以提高稳定性及可靠性。

根据用于实现所述的本实用新型的目的的本实用新型的优选实施例，向基板的表面喷射包含振动能的振动流体的同时喷射清洗流体，从而可以提高基板的清洗效率，并提升清洗效果。

如上所述，根据本实用新型可以获得以下有利效果：提高基板的清洗效率，提升清洗效果。

尤其，根据本实用新型可以获得以下有利效果：在从基板的表面分离的异物再次附着于基板的表面之前在较快的时间内有效地去除异物。

另外，根据本实用新型可以获得以下有利效果：可以有效地去除残留于基板的异物，并提升收率。