[实用新型]喷嘴单元及具备其的基板处理装置有效
申请号: | 201820232266.2 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN207781556U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 李昇奂;崔光洛 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健;陈国军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷嘴单元 基板 基板处理装置 表面喷射 喷射喷嘴 清洗流体 振动流体 本实用新型 基板分离 清洗效果 清洗效率 振动能 异物 清洗 | ||
1.一种喷嘴单元,其特征在于,包括:
第一喷射喷嘴,其向基板的表面喷射包含振动能的振动流体;
第二喷射喷嘴,其以倾斜的形式向所述基板的表面喷射清洗流体,清洗流体用于对通过所述振动流体而从所述基板分离出的异物进行清洗。
2.根据权利要求1所述的喷嘴单元,其特征在于,
所述第一喷射喷嘴以相对于垂直方向倾斜的第一喷射角度向所述基板的表面喷射所述振动流体,
所述第二喷射喷嘴以不同于第一喷射角度的第二喷射角度向所述基板的表面倾斜地喷射所述清洗流体。
3.根据权利要求2所述的喷嘴单元,其特征在于,
所述第二喷射喷嘴沿着从所述基板的内侧朝向所述基板的外侧的方向喷射所述清洗流体,
所述第二喷射角度以比所述第一喷射角度高的形式形成。
4.根据权利要求3所述的喷嘴单元,其特征在于,
所述第一喷射喷嘴以相对于垂直方向倾斜1°~30°的形式向所述基板的表面喷射所述振动流体,
所述第二喷射喷嘴以相对于垂直方向倾斜2°~60°的形式向所述基板的表面喷射所述清洗流体。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的喷嘴单元,其特征在于,
所述第一喷射喷嘴从与所述基板的表面隔开10~30㎜的高度喷射所述振动流体。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的喷嘴单元,其特征在于,
在所述基板的表面,所述振动流体所喷射的第一喷射位置和所述清洗流体所喷射的第二喷射位置之间的距离为2~40㎜。
7.根据权利要求1至4中任意一项所述的喷嘴单元,其特征在于,
所述振动流体以液状流体或气泡为媒介向所述基板的表面供给所述振动能。
8.一种喷嘴单元,其特征在于,包括:
摆动部件,其沿着从基板的中央部朝向所述基板的边缘的摆动轨迹相对于所述基板进行摆动旋转;
第一喷射喷嘴,其安装于所述摆动部件,并向所述基板的表面喷射包含振动能的振动流体;
第二喷射喷嘴,其以沿着所述摆动轨迹配置于所述第一喷射喷嘴的后方的形式安装于所述摆动部件,并以倾斜的形式向所述基板的表面喷射清洗流体,清洗流体用于将通过所述振动流体而从所述基板分离出的异物排出至所述基板的外侧。
9.一种喷嘴单元,其特征在于,包括:
第一摆动部件,其沿着从基板的中央部朝向所述基板的边缘的摆动轨迹相对于所述基板进行摆动旋转;
第一喷射喷嘴,其安装于所述第一摆动部件,并向所述基板的表面喷射包含振动能的振动流体;
第二摆动部件,其沿着从基板的中央部朝向所述基板的边缘的摆动轨迹相对于所述基板进行摆动旋转;
第二喷射喷嘴,其以沿着所述摆动轨迹配置于所述第一喷射喷嘴的后方的形式安装于所述第二摆动部件,并以倾斜的形式向所述基板的表面喷射清洗流体,清洗流体用于将通过所述振动流体而从所述基板分离出的异物排出至所述基板的外侧。
10.根据权利要求8或9所述的喷嘴单元,其特征在于,
所述第一喷射喷嘴以相对于垂直方向倾斜的第一喷射角度向所述基板的表面喷射所述振动流体,
所述第二喷射喷嘴沿着从所述基板的内侧朝向所述基板的外侧的方向以大于所述第一喷射角度的第二喷射角度向所述基板的表面倾斜地喷射所述清洗流体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造