[实用新型]一种光耦用驱动芯片

说明书

本实用新型公开了一种光耦用驱动芯片，控制芯片包括驱动电路；驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；还包括第一电阻和第二电阻；第二晶体管的发射极连接第四晶体管的发射极；第二晶体管的集电极连接第一晶体管的基极；第二晶体管的基极连接第一晶体管的集电极；第一晶体管的发射极连接第三晶体管的发射极；第四晶体管的基极连接第三晶体管的集电极；第四晶体管的集电极连接第三晶体管的基极；第二晶体管的集电极连接第四晶体管的基极。本实用新型公开的驱动电路可替代传统光耦电路中的光接收电路，具有驱动电流大、驱动能力强的特点，另外，该电路可直接连接220V的交流电压，简化了光耦驱动电路。

技术领域

本发明涉及光耦电路，具体涉及一种光耦用驱动芯片。

背景技术

在现有技术中，已有的光耦电路主要有以下两种：

1、如图1所示。图1是一个二极管-三极管光电耦合器，是使用发光二极管作为光发射端，另一个三极管的基区作为光接收端。其中发光二极管是光电耦合器的输入端。

2、如图2所示，是使用发光二极管LED作为光发射端，另一个可控硅的门级作为光接收端。

现有技术的不足之处在于：现有技术中光接收端产生的电流小，驱动能力不足，没有办法直接驱动后端的大器件，例如可控硅、功率MOSFET、功率IGBT等器件；耐压能力差，没有办法直接接到220V的交流电源上来，否则会被击穿。在现有技术中，为了克服这两点，必须附加复杂的外电路。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提出了一种光耦用驱动芯片。

本发明的技术方案如下：

一种光耦用驱动芯片，包括驱动电路；驱动电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管；还包括第一电阻和第二电阻；第一晶体管和第四晶体管是PNP型晶体管；第二晶体管和第三晶体管是NPN型晶体管；第二晶体管的发射极连接第四晶体管的发射极；第二晶体管的集电极连接第一晶体管的基极；第二晶体管的基极连接第一晶体管的集电极；第一晶体管的发射极连接第三晶体管的发射极；第四晶体管的基极连接第三晶体管的集电极；第四晶体管的集电极连接第三晶体管的基极；第二晶体管的集电极连接第四晶体管的基极；第一电阻的两端分别连接第二晶体管的基极和发射极；第二电阻的两端分别连接第三晶体管的基极和发射极。

其进一步的技术方案为：第一晶体管的发射极和第四晶体管的发射极面积是10μm²～1000μm²。

其进一步的技术方案为：第二晶体管的发射极和第三晶体管的发射极面积是10μm²～2000μm²。

其进一步的技术方案为：第一电阻和第二电阻的阻值是500Ω～1MΩ。

本发明的有益技术效果是：

本发明公开了一种光耦用驱动芯片，其中包括驱动电路，该驱动电路可替代传统光耦电路中的光接收电路，具有驱动电流大、驱动能力强的特点，另外，该电路可直接连接220V的交流电压，简化了光耦驱动电路。

该电路非常灵敏，反应时间快，一般在几微秒之内。

附图说明

图1是现有技术中的一种光电耦合器。

图2是现有技术中的另一种光电耦合器。

图3是本发明的电路图。

图4是本发明的测试电路图。

图5是驱动电路加220V交流电的端口电压图。

图6是不同的基极面积下电路中的电流情况。

具体实施方式