[实用新型]一种光耦用驱动芯片有效
| 申请号： | 201820183678.1 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN207853869U | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰;袁野;袁瓅;张国珠 | 申请（专利权）人： | 无锡豪帮高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/795 | 分类号： | H03K17/795 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214161 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 集电极连接 驱动电路 本实用新型 发射极连接 基极连接 驱动芯片 发射极 集电极 电阻 光耦 光耦驱动电路 光接收电路 光耦电路 交流电压 控制芯片 驱动电流 驱动能力 电路 替代 | ||
1.一种光耦用驱动芯片，其特征在于：包括驱动电路；驱动电路包括第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)、第三晶体管(Q3)和第四晶体管(Q4)；还包括第一电阻(R1)和第二电阻(R2)；第一晶体管(Q1)和第四晶体管(Q4)是PNP型晶体管；第二晶体管(Q2)和第三晶体管(Q3)是NPN型晶体管；第二晶体管(Q2)的发射极连接第四晶体管(Q4)的发射极；第二晶体管(Q2)的集电极连接第一晶体管(Q1)的基极；第二晶体管(Q2)的基极连接第一晶体管(Q1)的集电极；第一晶体管(Q1)的发射极连接第三晶体管(Q3)的发射极；第四晶体管(Q4)的基极连接第三晶体管(Q3)的集电极；第四晶体管(Q4)的集电极连接第三晶体管(Q3)的基极；第二晶体管(Q2)的集电极连接第四晶体管(Q4)的基极；第一电阻(R1)的两端分别连接第二晶体管(Q2)的基极和发射极；第二电阻(R2)的两端分别连接第三晶体管(Q3)的基极和发射极。
2.如权利要求1所述的光耦用驱动芯片，其特征在于：第一晶体管(Q1)的发射极和第四晶体管(Q4)的发射极面积是10μm2～1000μm2。
3.如权利要求1所述的光耦用驱动芯片，其特征在于：第二晶体管(Q2)的发射极和第三晶体管(Q3)的发射极面积是10μm2～2000μm2。
4.如权利要求1所述的光耦用驱动芯片，其特征在于：第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的阻值是500Ω～1MΩ。
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