[实用新型]晶圆清洗装置

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。所述晶圆清洗装置，包括用于容纳晶圆的腔室，还包括管道和控制器；所述管道从所述腔室内部延伸至所述腔室外部；所述控制器，连接所述管道，用于判断所述腔室内的PH值是否低于第一预设值，若是，则控制所述管道对所述腔室进行排气。本实用新型避免了因酸气在腔室内部聚集易对晶圆表面造成腐蚀的问题，提高了晶圆产品的良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆加工过程中，需根据需要去除晶圆表面残留的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层、石英、塑料等污染物，且不破坏晶圆的表面特性。为此，在晶圆的制造过程中需要经过多次清洗步骤。然而，随着特征尺寸的不断缩小，对晶圆制造过程中湿法清洗工艺的要求越来越高。湿法清洗通常采用化学药液和去离子水作为清洗剂，经过一系列的清洗工艺步骤，以实现对晶圆表面污染物的去除。现有技术中的晶圆湿法清洗分为槽式清洗和单片式清洗。随着对晶圆表面洁净度的要求越来越高，而单片式清洗可以降低清洗过程中的交叉污染、提高成品率，因此，现有的湿法清洗逐渐由传统的槽式清洗向单片式清洗过渡。

单片式清洗通常是在晶圆清洗装置中进行，例如型号为LAM DV34的湿法清洗装置。然而，由于在晶圆清洗过程中，经常需要使用酸性溶液作为清洗剂，而酸性溶液在清洗过程中，尤其是在温度较高的条件下，易挥发产生酸雾，使得晶圆清洗腔室中的酸气浓度过高。而过高的酸气浓度会对晶圆表面造成轻微腐蚀，影响产品良率。

因此，如何有效避免晶圆清洗腔室中过高的酸气浓度对晶圆的腐蚀，以确保产品良率，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶圆清洗装置，用以解决现有的晶圆清洗腔室中过高的酸气浓度易对晶圆表面造成腐蚀的问题，以提高晶圆产品的良率。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆清洗装置，包括用于容纳晶圆的腔室，还包括管道和控制器；所述管道从所述腔室内部延伸至所述腔室外部；所述控制器，连接所述管道，用于判断所述腔室内的PH值是否低于第一预设值，若是，则控制所述管道对所述腔室进行排气。

优选的，所述第一预设值为7。

优选的，还包括检测器；所述检测器，连接所述控制器，用于检测所述腔室内部的PH值并传输至所述控制器。

优选的，所述管道位于所述腔室外部的第一出口连接真空泵、位于所述腔室内部的第二出口连接所述检测器。

优选的，还包括流量调节阀，设置于所述第二出口处，用于调节所述管道排气的流量。

优选的，所述控制器，连接所述流量调节阀，用于判断所述腔室内的PH值是否低于第二预设值，若是，则控制所述流量调节阀以第一预设流量对所述腔室进行排气。

优选的，所述控制器，还用于判断所述腔室内的PH值是否高于第二预设值且低于第一预设值，若是，则控制所述流量调节阀以第二预设流量对所述腔室进行排气。

优选的，还包括显示器；所述显示器，连接所述控制器，用于显示所述腔室内的PH值。

本实用新型提供的晶圆清洗装置，通过增设管道和控制器，利用控制器判断用于容纳晶圆的腔室中的PH值是否低于预设值，若是，则利用所述管道开始对所述腔室内部进行排气，实现了根据所述腔室内部的PH值自动对所述腔室进行排气的操作，避免了因酸气在所述腔室内部聚集易对晶圆表面造成腐蚀的问题，提高了晶圆产品的良率。

附图说明

附图1是本实用新型具体实施方式中晶圆清洗装置的结构框图；

附图2是本实用新型具体实施方式中晶圆清洗装置的结构示意图。