[发明专利]衬底处理装置、半导体装置的制造方法及被加工衬底

权利要求书

1.一种衬底处理装置，具备：

衬底保持部，保持设有膜的衬底；及

膜处理部，基于所述衬底的翘曲，以所述膜包含具有第1膜质或膜厚的第1区域和具有与所述第1膜质或膜厚不同的第2膜质或膜厚的第2区域的方式对所述膜进行处理，抑制所述衬底的翘曲。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中所述第1区域对所述衬底在第1方向上施加压缩应力及拉伸应力的其中一个，所述第2区域对所述衬底在至少与所述第1方向不同的第2方向上施加压缩应力及拉伸应力的另一个。

3.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中所述第1区域抑制所述衬底沿第1方向翘曲成向上凸起的形状及向下凸起的形状的其中一个，所述第2区域抑制所述衬底沿至少与所述第1方向不同的第2方向翘曲成向上凸起的形状及向下凸起的形状的另一个。

4.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其还具备测定所述衬底的翘曲的翘曲测定部，且

所述膜处理部基于通过所述翘曲测定部所测定的所述衬底的翘曲，对所述膜进行处理。

5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中所述翘曲测定部通过对所述衬底照射光，并对从所述衬底反射的所述光进行检测，而测定所述衬底的翘曲。

6.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中所述翘曲测定部是设置在所述衬底保持部的位置感测器。

7.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中所述膜处理部是以使所述膜局部地氧化、氮化、或多孔化、或者使所述膜的膜厚局部地增加或减少的方式对所述膜进行处理。

8.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中所述膜处理部包含对所述膜照射等离子体的等离子体照射部。

9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中所述等离子体照射部基于所述衬底的翘曲决定所述等离子体的照射位置及照射条件，并基于所决定的所述照射位置及所述照射条件对所述膜照射所述等离子体。

10.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中所述膜处理部包含能够与所述膜接触的金属构件。

11.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中所述衬底保持部保持所述衬底的端部。

12.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

保持设有膜的衬底；及

基于所述衬底的翘曲，以所述膜包含具有第1膜质或膜厚的第1区域和具有与所述第1膜质或膜厚不同的第2膜质或膜厚的第2区域的方式对所述膜进行处理，使所述衬底的翘曲变化。

13.一种被加工衬底，具备：

衬底；以及

膜，设置在所述衬底的一面，且包含对所述衬底在第1方向上施加压缩应力及拉伸应力的其中一个的第1区域、及对所述衬底在至少与所述第1方向不同的第2方向上施加压缩应力及拉伸应力的另一个的第2区域。