[发明专利]一种液体浸没散热的射频微系统组件制作工艺

权利要求书

1.一种液体浸没散热的射频微系统组件制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

在射频芯片转接板上面制作TSV，焊盘；减薄射频芯片转接板背面使TSV露出，在露出的TSV顶端做钝化层，通过CMP工艺使TSV金属露出；在射频芯片转接板上面制作空腔；

把射频芯片埋入空腔中，做RDL使射频芯片跟TSV顶端互联；在射频芯片转接板背面做散热微流通道空腔；

在顶盖转接板下面做焊盘和空腔；在散热器转接板表面制作TSV和焊盘；

通过晶圆级键合工艺把顶盖转接板，射频芯片转接板和散热器转接板键合在一起形成模组，把顶盖转接板空腔和散热器转接板连接进液和出液口，完成散热功能实现。

2.如权利要求1所述的液体浸没散热的射频微系统组件制作工艺，其特征在于，所述在射频芯片转接板上面制作TSV，焊盘；减薄射频芯片转接板背面使TSV露出，在露出的TSV顶端做钝化层，通过CMP工艺使TSV金属露出；在射频芯片转接板上面制作空腔具体为：

通过光刻，刻蚀工艺在射频芯片转接板表面制作TSV孔；在硅片上方沉积氧化硅或者氮化硅绝缘层，或者直接热氧化；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；

电镀铜，使铜金属充满TSV，200到500度温度下密化使铜更致密；铜CMP工艺使硅片表面铜去除，使硅片表面只剩下填铜；

通过光刻，电镀工艺在射频芯片转接板表面制作焊盘；

在射频芯片转接板没有制作金属工艺的一面进行减薄，通过研磨，湿法腐蚀和干法刻蚀的工艺使铜柱另一端露出；在露出的铜柱表面覆盖绝缘层；通过光刻，刻蚀工艺在绝缘层表面开窗，开窗后使铜柱露出；

在TSV开口面制作空腔；

空腔刻蚀到TSV的下端，使TSV露出来，通过干法或湿法刻蚀工艺使TSV中的铜柱露出。

3.如权利要求1或2所述的液体浸没散热的射频微系统组件制作工艺，其特征在于，所述把射频芯片埋入空腔中，做RDL使芯片跟TSV顶端互联；在射频芯片转接板背面做散热微流通道空腔具体为：

把底部带有焊料的射频芯片埋入到空腔中，加热使芯片跟空腔底部金属互联；做RDL使芯片跟TSV顶端互联；

通过光刻和刻蚀工艺在转接板背面做散热微流通道空腔；空腔底部跟芯片底部距离在1um到100um之间；或者

在转接板背面做散热微流通道空腔，此处空腔内可以绕过TSV，使TSV布置在空腔外面；或者使TSV布置在空腔内部。

4.如权利要求1或2所述的液体浸没散热的射频微系统组件制作工艺，其特征在于，所述在顶盖转接板下面做焊盘和空腔具体为：

通过光刻和电镀工艺，在顶盖转接板下面做焊盘；通过光刻和刻蚀工艺在顶盖转接板下面做空腔。

5.如权利要求1或2所述的液体浸没散热的射频微系统组件制作工艺，其特征在于，所述在散热器转接板表面制作TSV和焊盘具体为：

在散热器转接板表面制作TSV，孔直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um；在硅片上方沉积氧化硅或者氮化硅绝缘层，或者直接热氧化，绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，种子层厚度范围在1nm到100um，为一层或多层，金属材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡或镍；

电镀铜，使铜金属充满TSV，200到500度温度下密化使铜更致密；铜CMP工艺使硅片表面铜去除，使硅片表面只剩下填铜；

通过光刻，电镀工艺在散热器转接板表面制作焊盘，厚度范围在1nm到100um，为一层或多层，金属材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡或镍。