[发明专利]一种金属透明电极及其制备方法

说明书

本发明提供了一种金属透明电极及其制备方法，通过在一基板上形成共聚物层，然后对所述共聚物层进行第一成孔化处理形成第一多孔层，对所述第一多孔层进行第二成孔化处理，形成第二多孔层，然后在所述基板和所述第二多孔层表面制备金属层，最后，对所述第二多孔层进行灰化处理，以去除第二多孔层及附着于第二多孔层上的金属层，即得到图案化的金属透明电极；所述金属透明电极具有附着于所述基板上的金属斑点和附着于所述基板上并且连接所述金属斑点的金属线条，所述金属斑点和所述金属线条交织成金属网络。该金属透明电极的生产工艺简单、制造成本低、产品质量高。

技术领域

本发明涉及柔性显示技术领域，尤其涉及一种金属透明电极及其制备方法。

背景技术

在TFT-LCD中，柔性显示因便携、可弯折等独特的优点，而受到广大消费者的青睐。目前，作为液晶显示器重要组成的透明电极，主要采用透明氧化物材料，如ITO、IZO等。然而，最常用的ITO价格昂贵，资源稀缺；而且需要高温后处理工艺优化ITO晶形，因而不适于不耐高温的应用，例如柔性基板高温翘曲、现有高阶产品中PFA材料高温黄变影响色度等中的应用。

为克服上述问题，新的透明导电材料逐渐被开发，例如，导电高分子材料、金属网格、碳纳米管和石墨烯及上述各种多元复合材料等。

其中，金属网格，例如Ag纳米线网格，因网格线之间完全透明，导电性和穿透率可达到较优水准，在众多取代材料中凸显出应用优势，但因纳米线是周期不连续的，为完全接触而实现低电阻就需要使用较厚的网格线，这就会导致粗糙度增加；如果使用随机排列的纳米线，就可在较低膜厚下实现较低的电阻和较佳的穿透率，但这就可能会带来离子电迁移而造成的结构损伤。纳米线的表面粗糙度、结合纳米线的长度和间距以及这种随机排列的结构，在随后的热处理过程，会使整个膜层的雾度增加（即不均匀散射），不利于面板低反射率的品质需求。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明提供一种金属透明电极及其制备方法，目的在于降低制作成本，及解决现有银纳米线电极雾度大，不利于面板低反射率品质要求的问题。

为了达到上述目的，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种金属透明电极的制备方法，所述方法包括以下步骤：

步骤S1、提供一基板，在所述基板上形成共聚物层；

步骤S2、对所述共聚物层进行第一成孔化处理，使所述共聚物层中形成多个孔，所述多个孔形成第一多孔层；

步骤S3、对所述第一多孔层进行第二成孔化处理，形成第二多孔层，所述第二多孔层包括孔径网络，所述孔径网络由多个孔和连接各个孔的静脉网络组成，所述孔径网络从所述第二多孔层表面延伸至所述基板；

步骤S4、在所述第二多孔层背离所述基板的表面制备金属层，使所述金属层覆盖所述第二多孔层上表面和与所述孔径网络相对应的所述基板表面；

步骤S5、对所述第二多孔层进行灰化处理，以去除第二多孔层及附着于第二多孔层上的金属层，即得到图案化的金属透明电极。

根据本发明一实施例，所述共聚物层是通过旋转涂布和/或狭缝涂布共聚物制得，所述金属层通过物理气相沉积的方法制得。

根据本发明一实施例，所述第一成孔化处理包括对所述共聚物层依次进行紫外线照射处理和水洗处理；所述第二成孔化处理包括使用氧气等离子体发射仪处理所述第一多孔层，同时使用掩膜罩对所述第一多孔层进行遮挡，使所述第一多孔层中的孔之间的区域局部灰化。

根据本发明一实施例，所述步骤S5中对所述第二多孔层进行灰化处理包括使用氧气等离子体发射仪发射氧气等离子体处理所述第二多孔层，使所述第二多孔层灰化。

根据本发明一实施例，所述第一多孔层中孔的直径为15~350nm，所述第二多孔层中孔的直径为0.1~100μm。