[发明专利]一种金属透明电极及其制备方法有效
申请号: | 201811590465.1 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109686699B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 张霞 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 透明 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种金属透明电极的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
步骤S1、提供一基板,在所述基板上形成共聚物层;
步骤S2、对所述共聚物层进行第一成孔化处理,使所述共聚物层中形成多个孔,所述多个孔形成第一多孔层,其中,所述第一成孔化处理包括对所述共聚物层依次进行紫外线照射处理和水洗处理;
步骤S3、对所述第一多孔层进行第二成孔化处理,形成第二多孔层,所述第二多孔层包括孔径网络,所述孔径网络由多个孔和连接各个孔的静脉网络组成,所述孔径网络从所述第二多孔层表面延伸至所述基板,其中,所述第二成孔化处理包括使用氧气等离子体发射仪处理所述第一多孔层,同时使用掩膜罩对所述第一多孔层进行遮挡,使所述第一多孔层中的孔之间的区域局部灰化;
步骤S4、在所述第二多孔层背离所述基板的表面制备金属层,使所述金属层覆盖所述第二多孔层上表面和与所述孔径网络相对应的所述基板表面;
步骤S5、对所述第二多孔层进行灰化处理,以去除第二多孔层及附着于第二多孔层上的金属层,即得到图案化的金属透明电极,其中,对所述第二多孔层进行灰化处理包括使用氧气等离子体发射仪发射氧气等离子体处理所述第二多孔层,使所述第二多孔层灰化。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述共聚物层是通过旋转涂布和/或狭缝涂布共聚物制得,所述金属层通过物理气相沉积的方法制得。
3.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的制备方法,其特征在于,所述第一多孔层中孔的直径为15~350nm,所述第二多孔层中孔的直径为0.1~100μm。
4.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的制备方法,其特征在于,所述基板的材质选自聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚酰亚胺PI、聚乙烯醇PVA、聚甲基硅氧烷PDMS、聚氨酯丙烯酸酯PUA、以及水凝胶中的一种,所述金属层的材质选自银、铜、铝、镍、以及铬中的一种或多种。
5.一种金属透明电极,其特征在于,所述金属透明电极如权利要求1至4任一项所述的金属透明电极的制备方法制备而成,所述金属透明电极包括:
基板;
设置在所述基板上的金属斑点;
设置在所述基板上并连接所述金属斑点的金属线条;
所述金属斑点和所述金属线条形成有阵列分布的金属网络;
其中,所述基板的材质选自聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚酰亚胺PI、聚乙烯醇PVA、聚甲基硅氧烷PDMS、聚氨酯丙烯酸酯PUA、以及水凝胶中的一种,所述金属斑点和金属线条的材质选自银、铜、铝、镍、以及铬中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的金属透明电极,其特征在于,所述金属斑点为圆形或不规则点状,所述金属线条为直线或不规则曲线。
7.根据权利要求5所述的金属透明电极,其特征在于,每个所述金属斑点至少与一条所述金属线条相连接,所述金属斑点和所述金属线条交织成阵列分布的金属网络。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造