[发明专利]成膜方法和半导体装置的制造方法以及成膜装置

权利要求书

1.在基板上形成膜的成膜方法，其特征在于，包括：

对所述基板进行退火；

在所述退火后，一边将所述基板加热到比所述退火时的所述基板的温度低的温度，一边将所述膜的原料溶液的雾供给至所述基板的表面。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述基板由氧化物材料构成，在将所述基板配置在含氧气体中的状态下实施所述退火。

3.根据权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，所述气体与大气相比，氧分压高。

4.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述基板由氧化物材料构成，在将所述基板配置在包含水雾和水蒸气中的至少一者的气体中的状态下实施所述退火。

5.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在将所述基板配置在流动的气体中的状态下实施所述退火。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的成膜方法，其特征在于，在共用的炉内实施所述退火和所述原料溶液的所述雾向所述基板的所述表面的供给。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的成膜方法，其特征在于，在所述退火中，将所述基板加热到500℃以上的温度。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的成膜方法，其特征在于，所述膜为半导体的结晶膜。

9.半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

采用权利要求1～8中任一项所述的成膜方法形成所述膜。

10.在基板上形成膜的成膜装置，其特征在于，包括：

配置所述基板的炉；

在所述炉内加热所述基板的加热器；

将所述膜的原料溶液的雾供给至所述炉内的雾供给装置；和

控制所述加热器和所述雾供给装置的控制装置，

其中，所述控制装置以如下方式构成：利用所述加热器对所述基板进行退火，在所述退火后，一边利用所述加热器将所述基板加热到比所述退火时的所述基板的温度低的温度，一边利用所述雾供给装置将所述雾供给至所述基板的表面。