[发明专利]一种等离子化学气相沉积循环镀疏水膜方法在审
| 申请号： | 201910335909.5 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110029327A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 吕伟桃;王宪;梁宸 | 申请（专利权）人： | 佛山市思博睿科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/02 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人： | 资凯亮;刘羽波 |
| 地址： | 528051 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子化学气相沉积循环镀疏水膜方法，包括以下步骤：(1)、前处理：对具有待镀膜面进行前处理；(2)、活化：在反应腔内利用等离子气体对待镀膜面进行活化处理；(3)、镀膜：汽化的疏水材料进入反应腔，通过等离子化学增强气相沉积法使所述疏水材料在镀膜面上沉积形成一层疏水膜；(4)、停止疏水材料输入，再次进行步骤(2)和(3)，在原有的一层疏水膜上再次沉积一层疏水膜；(5)、重复步骤(4)；(6)、反应腔内破真空，获得具有多层疏水膜的工件。采用循环镀膜的方式沉积多层疏水膜，有利于膜层有效附着和和密堆积，提高膜层质量，膜层在基材表面附着沉积更牢固，保证了疏水性能的持久性。 | ||
| 搜索关键词： | 疏水膜 沉积 疏水材料 反应腔 镀膜 膜层 等离子化学气相沉积 镀膜面 前处理 多层 附着 汽化 等离子化学 等离子气体 气相沉积法 活化处理 基材表面 疏水性能 持久性 破真空 原有的 活化 堆积 重复 保证 | ||
【主权项】：
1.一种等离子化学气相沉积循环镀疏水膜方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、前处理：对具有待镀膜面进行前处理；(2)、活化：在反应腔内利用等离子气体对待镀膜面进行活化处理；(3)、镀膜：汽化的疏水材料进入反应腔，通过等离子化学增强气相沉积法使所述疏水材料在镀膜面上沉积形成一层疏水膜；(4)、停止疏水材料输入，再次进行步骤(2)和(3)，在原有的一层疏水膜上再次沉积一层疏水膜；(5)、重复步骤(4)；(6)、反应腔内破真空，获得具有多层疏水膜的工件。
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- 2016-07-18 - 2019-07-05 - C23C16/513
- 本发明公开了等离子体启辉方法及设备，所述等离子体启辉方法用于将气体激发为等离子体，包括以下步骤：计算将气体激发生成等离子体所需的启辉上电极功率RF，且RF＝RF1+RF1*RF2/(RF1+RF2)，其中，RF1及RF2分别为将气体维持在等离子体稳定状态所需的稳定上电极功率和稳定下电极功率；启动与上电极相连的第一射频电源和与下电极相连的第二射频电源，并将第一射频电源的功率设定为RF、第二射频电源的功率设定为RF2；检测与所述功率设定为RF的第一射频电源相对应的反射功率，若所述反射功率小于RF1*5％，则将第一射频电源的功率设定为RF1，第二射频电源的功率仍设定为RF2。本发明能够提高气体启辉成功率，还可以减少等离子体稳定时间，从而缩短工艺时间、提高机台效率。
- 一种检验基板的处理方法及处理装置-201710262131.0
- 张文波;郭如旺;储明明;张锐;郑文灏 - 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
- 2017-04-20 - 2019-07-02 - C23C16/513
- 本发明提供一种检验基板的处理方法及处理装置。处理方法包括：在检验基板上设置牺牲膜层；利用等离子体增强化学气相沉积法在所述牺牲膜层上形成检验膜层；在对所述检验膜层的形成状况进行检验后，从所述检验基板上去除所述牺牲膜层，从而使得所述检验膜层与所述检验基板分离；回收所述检验基板。本发明的方案先在检验基板上沉积出易于与检验基板分离的牺牲膜层，之后再使用离子体增强化学气相沉积法制作出用于检验化学气象沉积工艺的检验膜层，在验证完成后，只需要将牺牲膜层与检验基板分离，即可重新回收干净的检验基板，使得检验基板可以在下次检验中继续使用，从而节约了制作成本，因此具有很高的实用价值。
- 一种RPECVD的多室沉積系统-201811369235.2
- 范继良 - 黄剑鸣
- 2018-11-16 - 2019-06-28 - C23C16/513
- 本发明公开一种RPECVD的多室沉積系统，包括待RPECVD气相沉積的基体、供基体进入本系统的进出室、供基体进行RPECVD气相沉積的沉積室、供基体临时停靠的过渡室、供基体腔室交换的交换室、交换室分别与进出室、沉積室、过渡室相连通、以抽气维持各腔室的压力平衡及真空状态的真空泵、沿进出室、交换室、过渡室及沉積室的长度方向设置有传动机构、在交换室还设置有连接传动机构的变向机构、遥控传动机构带动基体移动的中央控制器，其中变向机构为由中央控制器控制转动的圆盘，圆盘还设有调整方向的双行滚轮滑道，滚轮滑道的调整方向与以上各腔室之间夹角角度相匹配。本发明通过进出室、沉積室、过渡室和交换室构成多室沉積系统，以利于批量的基体同时进行RPECVD气相沉積。
- 一种有机硅硬质纳米防护涂层的制备方法-201710730242.X
- 宗坚 - 江苏菲沃泰纳米科技有限公司
- 2017-08-23 - 2019-06-25 - C23C16/513
- 一种有机硅硬质纳米防护涂层的制备方法，属于等离子体技术领域，该方法中，将反应腔室抽真空度，并通入惰性气体，使基材产生运动，通入单体蒸汽，进行化学气相沉积，在基材表面化学气相沉积制备有机硅纳米涂层；单体蒸汽成分为：至少一种含双键、Si‑Cl、Si‑O‑C、Si‑N‑Si、Si‑O‑Si结构或环状结构的有机硅单体和至少一种多官能度不饱和烃及烃类衍生物的混合物，停止通入单体蒸汽，通入氧气和/或水蒸气，对有机硅纳米涂层表面进行硬质处理。本发明将传统的碳氢氧有机化合物单体替换为有机硅单体，每个硅原子至少提供1‑4个活性位点，具有较高的活性，在单体中引入部分氧气，可将有机硅氧化为纳米二氧化硅，由于弥散强化效应，可大大提高涂层硬度。
- 一种气相沉积腔室-201910168347.X
- 张迎春;刘洁雅 - 北京捷造光电技术有限公司
- 2019-03-06 - 2019-06-14 - C23C16/513
- 本申请公开一种气相沉积腔室，包括真空外腔室和真空内腔室均包括围合成相应腔室的腔壁，真空内腔室设置于真空外腔室的腔室内；真空外腔室和真空内腔室设置有与抽真空装置连接的真空管道；喷淋电极和下电极设置在真空内腔室的内部，下电极位于喷淋电极的下方。真空外腔室为不锈钢材质，真空内腔室为全铝质腔室，既满足镀膜的工艺需求，也降低了设备的制造难度和成本，具有很高的性价比；且该结构还可以减少热量外传，从而维持了真空内腔室镀膜工艺所需的温度环境，以及能够对两个腔室进行独立的抽真空，保证真空内腔室中工艺气体的纯度，有利于产品的稳定性和一致性。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
