[发明专利]集成存储器及集成组合件

说明书

本发明涉及集成存储器及集成组合件。一些实施例包含具有电容器的集成组合件。所述电容器具有经配置为向上开口的容器形状的存储节点。所述容器形状具有第一侧表面及第二侧表面。所述第一及第二侧表面沿着所述容器形状的外边缘且彼此成相对关系。所述第二侧表面具有与所述第一侧表面垂直重叠的下部且具有与所述第一侧表面并不垂直重叠的上部。中层晶格邻近所述第一侧表面且支撑所述第一侧表面。高层晶格邻近所述第二侧表面且支撑所述第二侧表面。一些实施例包含集成存储器(例如，DRAM)。

技术领域

集成存储器(例如，DRAM)及集成组合件。

背景技术

希望将集成电路形成到更高集成度。电容器通常用于集成电路中，且希望缩减电容器到更紧横向尺寸以便节省有价值的半导体基板面。

一种类型的电容器是所谓的容器装置。此装置的存储电极(即，存储节点)被塑形为容器。电介质材料及另一电容器电极(即，板电极)可形成于容器内且沿着容器的外边缘，其可形成具有高电容及小占用面积的电容器。

为了实现所要电容水平同时减少由个别电容器消耗的半导体基板面量，容器形状的存储节点变得越来越高且窄(即，经形成到更高纵横比)。不幸地，高纵横比存储节点在结构上可能较脆弱，且经受倾倒、扭曲及/或从下伏基底断裂。

已开发晶格方法学来避免高纵横比容器倾倒。在此方法学中，提供晶格来固持容器形状的电极以防倾倒。

实例现有技术晶格方法学参考图1到5进行描述。

参考图1，展示现有技术组合件10包括一对相邻存储节点12a及12b。存储节点中的每一者包括以向上开口的容器形状配置的导电材料14。容器形状的存储节点12a及12b中的每一者具有第一侧表面15及第二侧表面17；其中第二侧表面17比第一侧表面15高。

晶格18、20及22沿着容器形状的存储节点12a及12b的第二侧表面17。晶格包括晶格材料16(例如，氮化硅)。

晶格18、20及22可分别称为低层晶格、中层晶格及高层晶格。

低层晶格18由下伏材料24(例如，二氧化硅)支撑。导电互连件26a及26b延伸穿过材料24以分别与存储节点12a及12b连接。材料24及互连件26a及26b可被认为形成存储节点12a及12b的支撑基底。

互连件26a及26b使存储节点12a及12b分别与晶体管28a及28b耦合。晶体管28a及28b中的每一者包括一对源极/漏极区域。晶体管28a的源极/漏极区域中的一者与互连件26a耦合且另一者与位线BL(a)耦合；且晶体管28b的源极/漏极区域中的一者与互连件26b耦合且另一者与位线BL(b)耦合。晶体管28a及28b中的每一者包括栅极，其与字线耦合。晶体管28a的栅极与字线WL(a)耦合，且晶体管28b的栅极与字线WL(b)耦合。

存储节点12a、12b及相关联的晶体管28a、28b可并入到存储器阵列(其中下文参考图4论述的实例存储器阵列)中。在此类实施例中，如果相邻存储节点12a及12b两者沿着彼此相同的列，那么相邻存储节点可与共同位线耦合(即，BL(a)及BL(b)可为相同位线)，或如果相邻存储节点12a及12b两者沿着彼此相同的行，那么相邻存储节点两者可与共同字线耦合(即，WL(a)及WL(b)可为相同字线)。

图1的各种结构可由下伏半导体衬底(未展示)支撑。术语“半导体衬底”意味着包括半导电材料的任何构造，包含(但不限于)块状半导电材料(例如半导电晶片)(单独或以包括其它材料的组合件)及半导电材料层(单独或以包括其它材料的组合件)。术语“衬底”是指任何支撑结构，包含(但不限于)半导体衬底。

图1的现有技术配置的一个方面是高层晶格22与中层晶格20经相同图案化。图2A及2B图解说明此图案化。