[发明专利]集成存储器及集成组合件

权利要求书

1.一种集成组合件，其包括：

电容器；所述电容器沿着横截面具有经配置为向上开口容器形状的存储节点；所述容器形状具有第一侧表面及第二侧表面；所述第一及第二侧表面沿着所述容器形状的外边缘且彼此成相对关系；所述第二侧表面具有与所述第一侧表面垂直重叠的下部且具有与所述第一侧表面并不垂直重叠的上部；

中层晶格，其邻近所述第一侧表面且支撑所述第一侧表面；及

高层晶格，其邻近所述第二侧表面且支撑所述第二侧表面；所述高层晶格在所述中层晶格上方。

2.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述存储节点包括导电材料；其中所述中层晶格包括第一绝缘材料；其中所述高层晶格包括第二绝缘材料；且其中所述第一及第二绝缘材料直接抵靠所述存储节点的所述导电材料。

3.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述电容器是多个基本上相同电容器中的一者，且其中所述中层晶格邻近所述基本上相同电容器中的至少三者的第一侧表面。

4.根据权利要求3所述的集成组合件，其中所述中层晶格直接抵靠所述基本上相同电容器中的所述至少三者的所述第一侧表面。

5.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述电容器是多个基本上相同电容器中的一者，且其中所述中层晶格邻近所述基本上相同电容器中的至少四者的第一侧表面。

6.根据权利要求5所述的集成组合件，其中所述中层晶格直接抵靠所述基本上相同电容中的所述至少四者的所述第一侧表面。

7.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述电容器是多个基本上相同电容器中的一者，且其中所述中层晶格邻近所述基本上相同电容器中的至少七者的第一侧表面。

8.根据权利要求7所述的集成组合件，其中所述中层晶格直接抵靠所述基本上相同电容器中的所述至少七者的所述第一侧表面。

9.根据权利要求1所述的集成组合件，其中所述高层晶格是沿着所述第二侧表面的所述上部。

10.根据权利要求9所述的集成组合件，其中所述高层晶格是沿着所述第二侧表面的顶部。

11.一种集成组合件，其包括：

一对相邻电容器；所述相邻电容器中的一者是具有第一存储节点的第一电容器，且所述相邻电容器中的另一者是具有第二存储节点的第二电容器；所述第一及第二存储节点一起沿着横截面具有一对外侧壁及一对内侧壁的配置；第一层经界定沿着所述第一及第二存储节点的下部区域延伸；第三层经界定以沿着所述第一及第二存储节点的上部区域延伸；第二层经界定在所述第一层与所述第三层之间；

上层晶格，其沿着所述第一及第二存储节点的所述第三层且在所述对外侧壁的外围上；及

中层晶格，其沿着所述第一及第二存储节点的所述第二层且在所述对内侧壁之间。

12.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述对内侧壁具有相对于所述对外侧壁的上表面凹进的上表面。

13.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述第一及第二存储节点包括导电材料；其中所述中层晶格包括第一绝缘材料；其中所述高层晶格包括第二绝缘材料；且其中所述第一及第二绝缘材料直接抵靠所述第一及第二存储节点的所述导电材料。

14.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述上层晶格及所述中层晶格包括彼此相同的组分。

15.根据权利要求11所述的集成组合件，其中所述上层晶格及所述中层晶格两者都包括氮化硅。