[发明专利]一种集成电路板及其制备方法

权利要求书

1.一种集成电路板的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

A、对基板进行前处理，前处理包括清洗、刻蚀；

B、对经过步骤A前处理的基板进行定位钻孔，制作通孔；

C、在通孔内表面涂覆隔离层，然后在通孔内表面沿轴向均匀开设若干个凹槽；凹槽的侧壁为弧形，凹槽的底面设置有若干个条形凸起；

D、对步骤C加工出的凹槽进行第一次电镀处理；

E、去除通孔内表面残余的隔离层，然后对通孔内表面进行第二次电镀处理；

F、对基板进行裁板压膜后进行二次刻蚀；

G、对基板涂覆阻焊层，然后经过表面处理得到成品集成电路板。

2.根据权利要求1所述的集成电路板的制备方法，其特征在于：凹槽的顶部宽度小于凹槽的底部宽度，凹槽宽度的最大值小于相邻凹槽之间的间距。

3.根据权利要求1所述的集成电路板的制备方法，其特征在于：步骤D中，第一次电镀处理包括以下步骤，

D1、将基板浸入第一电镀液中，第一电镀液含有235～280g/L的硫酸铜、80～100g/L的硫酸；

D2、电镀时间为1～2min，电流密度为10～12ASD，电镀液喷射流速为3～5L/min；

D3、电镀结束后，对电镀表面进行粗糙打磨处理。

4.根据权利要求3所述的集成电路板的制备方法，其特征在于：步骤E中，第二次电镀处理包括以下步骤，

E1、将基板浸入第二电镀液中，第二电镀液含有120～150g/L的硫酸铜、40～50g/L的硫酸；

E2、第一阶段电镀时间为3～5min，电流密度为4～5ASD，电镀液喷射流速为1～2L/min；

E3、第二阶段电镀时间为1～2min，电流密度为7～10ASD，电镀液喷射流速为1～2L/min；

E3、第三阶段电镀时间为5～10min，电流密度为1～2ASD，电镀液喷射流速为4～5L/min。

5.根据权利要求4所述的集成电路板的制备方法，其特征在于：步骤E3中，在电镀液中加入20～50g/L的硝酸银。

6.一种集成电路板，其特征在于：使用权利要求1-5任意一项所述的集成电路板的制备方法制备而成。