[发明专利]一种SLD、LD光源SIP模块的制备方法在审
| 申请号： | 201811470601.3 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109712970A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 田野 | 申请（专利权）人： | 贵州航天控制技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16 |
| 代理公司： | 中国航天科工集团公司专利中心 11024 | 代理人： | 葛鹏 |
| 地址： | 550009 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属层 制备 无源器件 内埋 压接 核心介质 介质材料 面积缩减 内部基板 向下形成 介质层 盲埋孔 走线层 基板 两层 阻焊 钻孔 电路 互联 图像 重复 制作 制造 | ||
1.一种SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其特征在于，包括：SiP模块内部基板采用8层高密度PCB器件内埋工艺，内部互联采用盲埋孔设计实现，其中L2、L3、L5、L7为主走线层，无源器件内埋在L4层，器件内部工艺流程如下：
首先，在基板的核心介质层上压接金属层，之后在金属层上制作图像，形成L4和L5层；
其次，在L4、L5层上下压接介质材料；
再次，在L4层之上的介质层SMT焊接无源器件；
再次，继续向上和向下形成两层金属层，形成L3层、L6层，重复上述过程制造L2层、L7层及L1、L8层，最后按照PCB工艺完成钻孔、阻焊等工艺。
2.根据权利要求1所述的SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其特征在于，所述金属层为铜层。
3.根据权利要求1所述的SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其特征在于，所述L4层包括了内埋无源器件的焊盘。
4.根据权利要求1所述的SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其特征在于，所述L5层为走线层。
5.根据权利要求2所述的SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其特征在于，所述L4层上方的介质层留出无源器件内埋的空间。
6.根据权利要求5所述的SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其特征在于，还包括：在PCB基板表面SMT焊接相关元器件和插针。
7.根据权利要求6所述的SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其特征在于，还包括：在器件表面焊接金属盖板。
8.根据权利要求5所述的SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其特征在于，所述SiP模块的总厚度为2.3mm。
9.根据权利要求1所述的SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其特征在于，所述介质材料为FR-4环氧玻璃布层。
10.根据权利要求7所述的SLD、LD光源SIP模块的制备方法，其特征在于，所述SiP模块整体厚度为6mm。
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