[发明专利]基于MOSFET栅极光栅化THz探测器制备方法

权利要求书

1.一种基于MOSFET栅极光栅化THz探测器制备方法，其特征在于，在基于CMOS的THz探测器栅极制备过程中，用微/纳米技术构筑微米或纳米级光栅阵列结构型栅极；通过对栅极的光栅化结构参数(光栅的宽度、长度、区域面积、周期和图案形式)的调节来实现对不同波段THz辐射进行选择性响应和探测；具体包括以下步骤：

第一步：在硅基底上依次通过光刻、离子注入、去胶、氧化物生长、牺牲层沉积、刻蚀、源漏区离子注入、源漏电极生长，制备出THz探测器底部器件；

第二步：将第一步中的THz探测器底部器件通过掩膜版刻蚀手段进一步制备出符合要求的光栅栅极结构；

第三步：将第二步中的光栅栅极结构利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的金属层，完成THz探测器器件制备。

2.根据权利要求1所述的基于MOSFET栅极光栅化THz探测器制备方法，其特征在于，第二步中所述光栅为周期可调且具有各种不同图案形式的金属阵列化结构，周期分布区间为100纳米到20微米，周期区域面积区间为100平方微米到3平方毫米；所述光栅栅极结构中，光栅宽区间10纳米到10微米，光栅长区间20微米到2毫米。

3.根据权利要求1所述的基于MOSFET栅极光栅化THz探测器制备方法，其特征在于，第三步中所述THz探测器器件基于CMOS标准工艺，栅极为钛、金、钨中任选一种或两种金属光栅结构，栅极金属层厚度区间为5纳米到200纳米。