[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体系统

权利要求书

1.一种半导体器件包括：

延迟电路，所述延迟电路配置成将写入信号延迟写入等待时间与突发操作时间之和，以产生写入脉冲，配置成将读取信号延迟以产生读取脉冲，且配置成产生预充电信号，其中，所述预充电信号在从所述写入信号产生的时刻开始经过预定时段之后被使能；以及

列信号发生电路，所述列信号发生电路配置成当所述写入脉冲或所述读取脉冲输入至所述列信号发生电路时，从芯片选择信号和命令/地址信号产生列信号，用于选择包括在多个存储体中的一个中的至少一个存储器单元，

其中，写入操作、读取操作和预充电操作顺序地执行，并且

对相同的存储体持续地执行写入操作和读取操作。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在读取操作期间被所述列信号激活的存储体与在写入操作期间被所述列信号激活的存储体是相同的存储体。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述预定时段设置成比顺序执行的写入操作和读取操作的总操作时间大。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述预定时段设置成比写入恢复时间长；以及

其中，所述写入恢复时间设置为从在写入操作期间输入数据至所述半导体器件的时刻开始用于执行预充电操作的最小延迟时间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述延迟电路包括：

第一延迟电路，所述第一延迟电路配置成响应于写入等待信息信号和突发操作信息信号，将所述写入信号延迟第一延迟时间以产生所述写入脉冲；

第二延迟电路，所述第二延迟电路配置成将所述读取信号延迟以产生所述读取脉冲；以及

预充电信号发生电路，所述预充电信号发生电路配置成根据写入恢复信号将所述写入脉冲延迟第二延迟时间，以产生所述预充电信号。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，所述写入等待信息信号是用于设置所述写入等待时间的信号；

其中，所述突发操作信息信号是用于设置所述突发操作时间的信号；以及

其中，所述第一延迟时间被设置成所述写入等待时间与所述突发操作时间之和。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，所述写入恢复信号是用于将所述写入脉冲延迟所述第二延迟时间的信号；以及

其中，所述第二延迟时间被设置成等于或长于时钟信号的一个周期。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述预定时段设置为所述第一延迟时间与所述第二延迟时间之和。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述预充电信号发生电路包括：

移位电路，所述移位电路配置成与时钟信号同步地将所述写入脉冲延迟，以产生多个写入延迟信号；以及

选择/传输电路，所述选择/传输电路配置成根据所述写入恢复信号输出所述多个写入延迟信号中的一个作为所述预充电信号。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，所述移位电路包括：

内部延迟信号发生电路，所述内部延迟信号发生电路配置成与所述时钟信号同步地将所述写入脉冲延迟以产生内部延迟信号；以及

写入延迟信号发生电路，所述写入延迟信号发生电路配置成与所述时钟信号同步地将所述内部延迟信号延迟以产生所述多个写入延迟信号，其中，所述多个写入延迟信号被顺序产生。