[发明专利]具有鳍状结构的半导体装置

说明书

本发明实施例涉及具有鳍状结构的半导体装置。一种半导体装置包含鳍状结构、第一导电线、第二导电线及第一导电轨。所述鳍状结构放置于衬底上。所述第一导电线经布置以包绕所述鳍状结构的第一部分。所述第二导电线附接于所述鳍状结构的第二部分上。所述第二部分不同于所述第一部分。所述第一导电轨放置于与所述衬底上的所述第一导电线及所述第二导电线相同的层中。所述第一导电轨附接于所述第一导电线的一端及所述第二导电线的一端上以将所述第一导电线与所述第二导电线电连接。

技术领域

本发明实施例涉及具有鳍状结构的半导体装置。

背景技术

在迅速发展的半导体制造工业中，互补式金属氧化物半导体(CMOS)FinFET装置越来越多地用于许多逻辑及其它应用中且集成到各种不同类型的半导体装置中。FinFET装置通常包含半导体鳍状物，所述半导体鳍状物具有形成晶体管的沟道及源极/漏极区域的高纵横比。栅极在半导体鳍状物的一部分的侧上方并沿着所述侧形成。对鳍状物的使用增加相同区的沟道及源极/漏极区域的表面积。FinFET装置中的鳍状物的经增加表面积产生消耗较少电力的较快、较可靠且较好受控制的半导体晶体管装置。然而，进一步减小CMOSFinFET的大小存在挑战。

发明内容

根据本发明的一实施例，一种半导体装置包括：鳍状结构，其放置于衬底上；第一导电线，其包绕所述鳍状结构的第一部分；第二导电线，其附接于所述鳍状结构的第二部分上，所述第二部分不同于所述第一部分；及第一导电轨，其放置于与所述衬底上的所述第一导电线及所述第二导电线相同的层中，所述第一导电轨附接于所述第一导电线的一端及所述第二导电线的一端上以将所述第一导电线与所述第二导电线电连接。

根据本发明的另一实施例，一种半导体装置包括：第一鳍状场效应晶体管FinFET，其包括：鳍状结构，其放置于衬底上；第一导电线，其包绕所述鳍状结构的第一预定区域；第二导电线，其附接于所述鳍状结构的第一源极区域及第一漏极区域中的一者上；第三导电线，其包绕所述鳍状结构的栅极区域，所述第二导电线形成于所述第一导电线与所述第三导电线之间；及第四导电线，其附接于所述鳍状结构的所述第一源极区域及所述第一漏极区域中的另一者上；以及导电轨，其放置于与所述衬底上的所述第一导电线及所述第二导电线相同的层中，所述导电轨在平行于所述鳍状结构的方向上延伸以由所述第一导电线及所述第二导电线横向接触。

根据本发明的又一实施例，一种用于形成半导体装置的方法包括：形成从所述半导体装置的衬底突出的鳍状结构；在所述衬底上形成第一导电轨，其中所述第一导电轨的面向所述鳍状结构的侧具有第一凹槽及第二凹槽；通过将第一导电材料填充到所述第一凹槽中而在与所述第一导电轨相同的层中形成第一导电线，其中所述第一导电线延伸跨越所述鳍状结构且包绕所述鳍状结构的一部分；及通过将第二导电材料填充到所述第二凹槽中而在与所述第一导电轨相同的层中形成第二导电线，其中所述第二导电线延伸跨越所述鳍状结构且接触所述鳍状结构的另一部分。

附图说明

依据与附图一起阅读的以下详细描述最佳地理解本揭露的方面。应注意，根据工业中的标准实践，各种构件未必按比例绘制。实际上，为论述清晰起见，可任意地增加或减小各种构件的尺寸。

图1A是根据一些实施例的在半导体装置内的不同层级处的不同组件的俯视布局图。

图1B是图解说明根据一些实施例对应于图1A中所展示的半导体装置的电路的图式。

图1C是根据一些实施例的在形成预定金属层之后的图1A中所展示的半导体装置的俯视布局图。

图2是图解说明根据一些实施例的图1A中所展示的半导体装置的一部分的透视图的图式。

图3是根据一些实施例的图2中所展示的多晶硅线、金属线、导电轨及鳍状结构的示意性俯视图。

图4是图解说明根据一些实施例的图1C中所展示的半导体装置的一部分的透视图的图式。