[发明专利]电镀金属化结构

权利要求书

1.一种金属化集成电路器件的方法，包括：

在通过第一掩模层形成的第一开口中在基板上电镀第一金属，所述第一开口限定所述基板的第一区域，并且在通过第二掩模层形成的第二开口中在所述基板上电镀第二金属，所述第二开口限定所述基板的第二区域，其中所述第二开口比所述第一开口宽，并且所述第二区域包括所述基板的第一区域，其中电镀第一金属形成第一金属特征并且电镀第二金属封装所述第一金属特征，以形成厚度大于所述第一掩模层和所述第二掩模层中的每一个的厚度的金属化结构。

2.权利要求1所述的方法，其中所述金属化结构比所述第一金属特征更宽和更厚。

3.权利要求2所述的方法，其中所述金属化结构的厚度超过所述第一掩模层的厚度和所述第二掩模层的厚度至少20％。

4.权利要求2所述的方法，其中所述金属化结构以单一金属化水平形成。

5.权利要求1所述的方法，其中所述第一开口是通过使用第一光刻掩模版选择性地曝光第一毯式掩模层的部分而形成，并且所述第二开口是通过使用第二光刻掩模版选择性地曝光第二毯式掩模层的部分而形成。

6.权利要求2所述的方法，其中在对所述第二金属进行电镀之后，所述金属化结构不会在所述第二开口上方横向延伸超过所述第二开口。

7.权利要求2所述的方法，其中所述第一金属和所述第二金属包含相同的金属。

8.权利要求2所述的方法，其中电镀第一金属和电镀第二金属包括在公共导电阻挡层或公共种子层上电镀。

9.权利要求8所述的方法，其中电镀第二金属包括封装所述第一金属特征以形成凸起部分，并且将在所述第一金属特征外侧横向延伸的部分直接电镀在公共导电阻挡层或公共种子层上。

10.权利要求9所述的方法，还包括通过在通过一个或多个介电层形成的开口中电镀第三金属以形成导电通孔来电接触所述凸起部分。

11.一种金属化集成电路器件的方法，包括：

在基板上形成由第一金属形成的第一金属特征，并且通过在通过掩模层形成的开口中电镀第二金属来封装第一金属特征以形成金属化结构，其中所述开口比所述第一金属特征宽并且横向包括所述第一金属特征，并且其中所述金属化结构的厚度大于所述掩模层的厚度。

12.权利要求11所述的方法，其中所述第一金属特征是通过使用第一光刻掩模版将第一金属电镀在通过第一掩模层形成的第一开口中而形成，并且其中所述金属化结构通过使用第二光刻掩模版将第二金属电镀在通过所述掩模层形成的开口中而形成。

13.权利要求12所述的方法，其中所述第一金属和所述第二金属包含不同的金属。

14.权利要求13所述的方法，还包括在使用所述第二金属封装所述第一金属特征之前形成封装所述第一金属特征的导电屏障，其中所述导电屏障用作所述第一金属特征的原子的扩散导电屏障。

15.权利要求14所述的方法，其中所述第一金属特征电镀至大于所述第一掩模层厚度的厚度，其中所述第一金属特征包括第一开口外侧的部分，其横向延伸的宽度大于所述第一开口的宽度。

16.权利要求15所述的方法，其中所述掩模层是阴光刻胶。