[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底和多个分立于所述衬底上的鳍部；对所述鳍部进行切断处理，形成切口，所述切口底面与所述衬底表面齐平，或者低于所述衬底表面；

在所述切口中形成隔离结构，且所述隔离结构顶面低于所述鳍部顶壁；

在未被所述隔离结构覆盖的所述切口侧壁上形成绝缘层，所述绝缘层还形成在靠近切口的所述鳍部顶部；

在所述隔离结构上以及绝缘层上形成第一栅极结构；

在所述鳍部上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构横跨所述鳍部，所述第二栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶壁和部分侧壁；

在所述第二栅极结构两侧的所述鳍部中形成源漏掺杂层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述绝缘层的步骤包括：

在所述鳍部顶壁、未被所述隔离结构覆盖的切口侧壁以及隔离结构上形成绝缘材料层；

形成覆盖所述切口的遮挡层；

以所述遮挡层为掩膜刻蚀所述绝缘材料层，形成所述绝缘层，且所述绝缘层还形成在所述隔离结构上；

形成所述绝缘层后，去除所述遮挡层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述绝缘层的步骤包括：

在所述鳍部顶壁、隔离结构顶面以及所述隔离结构露出的切口侧壁上形成绝缘材料层；

采用无掩膜刻蚀工艺去除位于所述隔离结构上和所述鳍部顶壁上的绝缘材料层，形成所述绝缘层。

4.如权利要求2或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺形成所述绝缘材料层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离结构后，形成所述绝缘层前，形成覆盖所述鳍部顶壁和鳍部部分侧壁的栅介质层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括：在形成所述栅介质层后，形成所述绝缘层前，形成覆盖所述栅介质层的保护层；

在形成所述绝缘层后，形成所述第二栅极结构前，采用湿法刻蚀工艺去除所述绝缘层露出的所述保护层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层气相沉积或者低压化学气相沉积工艺形成所述保护层。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅。

9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述栅介质层的保护层的步骤中，所述保护层的厚度为40埃米至60埃米。

10.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅，所述栅介质层的材料为氮氧化硅，所述湿法刻蚀工艺去除所述绝缘层露出的所述保护层采用的溶液为高稀释氢氟酸溶液。

11.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为原子层沉积形成的氧化硅，栅介质层的材料为原位水蒸气氧化工艺形成氧化硅，所述湿法刻蚀工艺去除所述绝缘层露出的所述保护层采用的溶液为高稀释氢氟酸溶液。

12.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅，栅介质层的材料为高K介质材料，所述湿法刻蚀工艺去除所述绝缘层露出的所述保护层采用的溶液为高稀释氢氟酸溶液。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一栅极结构和第二栅极结构在同一步骤中形成。