[发明专利]一种具有焊料电极的LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种具有焊料电极的LED芯片，包括衬底；设置在衬底上的发光结构，所述发光结构包括依次设置在衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层、反射层和第一绝缘层；设置在第一绝缘层表面的第一金属层；设置在第一金属层上和隔离槽内的第二绝缘层；设置在第二绝缘层上的第二金属层；贯穿第二金属层和第二绝缘层并分别于第一电极和第二电极连接的焊料金属层；所述第一金属层的润湿性大于第二金属层的润湿性。相应地，本发明还提供了一种具有焊料电极的LED芯片的制作方法。本发明的焊料金属层在第一金属层上进行团聚，进行二次生产，进而增加焊料金属层的厚度。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种具有焊料电极的LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

倒装LED芯片和正装LED芯片相比，具有电流分布均匀、散热好、电压降低、效率高等诸多优点。因此，倒装LED芯片被提出后，迅速受到广泛的关注，并取得了一系列进展。但是，和正装LED芯片相比，倒装LED芯片在进行共晶焊接固晶时需要在基板上焊接芯片的位置点上锡膏，再将倒装LED芯片放置在锡膏上，经过回流焊接后，倒装LED芯片被固定在基板上。

但是，这种点锡膏的方式无法精确的控制锡膏的用量，锡膏用量少了容易导致焊接不良和空洞率上升，从而导致芯片VF高以及老化失效；锡膏量过多则芯片在焊接过程中容易发生位置的漂移，从而影响封装焊接的良率。

现有的倒装LED芯片可以通过在芯片表面光刻图形化后沉积金属的方式获得厚度均匀的焊料层金属，但由于现有的负性光刻胶厚度往往在5μm以内，导致焊料层金属的厚度也只能沉积5μm以内，否则将无法进行后续的图形化工艺。但5μm以内的焊料层金属无法满足共晶焊接的要求，需要进一步提升芯片上焊料层的厚度，才可以保证消除焊接空洞，保证封装的良率和稳定性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种具有焊料电极的LED芯片，增加了焊料金属层的厚度，防止电极与基板之间发生焊接空洞，提高焊接良率和稳定性。

本发明还要解决的技术问题在于，提供一种具有焊料电极的LED芯片的制作方法，突破了光刻胶厚度对于焊料金属层厚度的限制，增加了焊料金属层的厚度，防止电极与基板之间发生焊接空洞，提高焊接良率和稳定性。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种具有焊料电极的LED芯片，包括：

衬底；

设置在衬底上的发光结构，所述发光结构包括依次设置在衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层、反射层和第一绝缘层；

设置在第一绝缘层表面的第一金属层，所述第一金属层一部延伸至第一半导体层并与第一半导体层连接，以形成第一电极，所述第一金属层一部分延伸至反射层并与反射层连接，以形成第二电极，其中，第一电极和第二电极之间设有至少一条隔离槽；

设置在第一金属层上和隔离槽内的第二绝缘层；

设置在第二绝缘层上的第二金属层；

贯穿第二金属层和第二绝缘层并分别于第一电极和第二电极连接的焊料金属层；

所述第一金属层的润湿性大于第二金属层的润湿性。

作为上述方案的改进，所述第一金属层由Ni、Au、Ti和In中的一种或几种制成，其厚度为0.5-3μm。

作为上述方案的改进，所述第二金属层由Cu、CO、Fe和Zn中的一种或几种制成，其厚度为0.5-3μm。

作为上述方案的改进，所述焊料金属层由Au或Au合金制成，其厚度为10-14μm。