[发明专利]微发光二极管阵列器件、制作方法及转移方法有效
申请号: | 201811290470.0 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN111129057B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 李晓伟 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 阵列 器件 制作方法 转移 方法 | ||
本发明提供一种微发光二极管阵列器件、制作方法及转移方法。阵列器件包括微发光二极管阵列及放置所述微发光二极管阵列的控制台,所述微发光二极管阵列包括若干微发光二极管;所述控制台包括控制单元,设置在所述控制台内,用于接收不需要进行转移的微发光二极管的位置信息并根据所述位置信息控制对应不需要进行转移的微发光二极管固定在所述控制台上不被拾取,以保证转移至接收基板上的微发光二极管阵列的显示效果。
技术领域
本发明涉及微发光二极管阵列器件的转运,特别是涉及一种微发光二极管阵列器件、制作方法及转移方法。
背景技术
为了实现微发光二极管(Micro Light-emitting Diodes,Micro-LED)的显示,现有技术中通常采用将Micro-LED转印到接收基板上的方式来实现,具体的,通过转印吸盘的多个转印头分批次对应拾取LED微粒,并将LED微粒分别转印至接收基板对应区域,由于当前微发光二极管工艺技术的限制,制作完成的LED阵列存在部分坏点,在转印的过程中,容易将坏点LED微粒一同转移到接收基板上,影响Micro-LED阵列的显示效果,为了在转印时不将不需要进行转移的微发光二极管拾取,提出通过设置控制台,将不需要进行转移的微发光二极管固定在控制台上,以达到选择性转移的目的。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种微发光二极管阵列器件、制作方法及转移方法,以在转移微发光二极管阵列时,不需要进行转移的微发光二极管不被拾取,保证转移到接收基板上的微发光二极管阵列的显示效果。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:
微发光二极管阵列,包括若干微发光二极管;及
放置所述微发光二极管阵列的控制台,所述控制台包括:
控制单元,设置在所述控制台内,用于接收不需要进行转移的微发光二极管的位置信息并根据所述位置信息控制对应不需要进行转移的微发光二极管固定在所述控制台上不被拾取。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种微发光二极管阵列器件的制作方法,所述方法包括:
提供控制台;
在所述控制台上设置微发光二极管阵列;
在所述控制台内设置控制单元,以接收不需要进行转移的微发光二极管的位置信息并根据所述位置信息控制对应微发光二极管固定在所述控制台上不被拾取。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种微发光二极管阵列器件的转移方法,所述方法包括:
将微发光二极管阵列放置在侦测单元中;
通过所述侦测单元获取所述不需要进行转移的微发光二极管的位置信息并发送给所述控制台的控制单元;
通过所述控制单元根据所述位置信息控制与所述不需要进行转移的微发光二极管位置对应的线圈通电,以使与所述线圈连接的电磁块产生磁性;
将所述不需要进行转移的微发光二极管吸附在所述电磁块上,以使所述不需要进行转移的微发光二极管不被拾取;
拾取其余所述微发光二极管;
将其余所述微发光二极管转移至接收基板上。
本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明通过在所述微发光二极管阵列下方设置控制台,所述控制台中设置控制单元,所述控制单元接收不需要进行转移的微发光二极管的位置信息并根据所述位置信息控制对应不需要进行转移的微发光二极管固定在所述控制台上不被拾取,以保证转移到接收基板上的所述微发光二极管阵列的显示效果。
附图说明
图1是本发明微发光二极管阵列器件的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的