[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

提供一种半导体结构的形成方法。此方法包括：形成材料层于基底上方，以及形成辅助层于材料层上方。此辅助层包含：聚合物主链(backbone)、与聚合物主链键合的酸不稳定基团(acid labile group，ALG)、以及与聚合物主链键合的浮动基团(floating group)。此浮动基团包含氟化碳(C_xF_y)。此方法也包括形成阻抗层于辅助层上方，以及图案化阻抗层。

技术领域

本公开有关一种半导体技术，特别是有关一种半导体结构的形成方法。

背景技术

半导体装置已用于如个人计算机、移动电话、数字相机及其它电子设备的多种电子应用中。通常通过按序在半导体基底上沉积绝缘或介电层、导电层与半导体层的材料，并使用光刻制程图案化各种材料层从而在其上形成电子组件与组件来制造半导体装置。许多集成电路通常制作在单一半导体晶圆上，并通过沿着集成电路之间的切割道切割而将晶圆切割成为独立的晶粒(die)。举例来说，这些独立的晶粒通常分别地封装于多重芯片模块(multi-chip modules)或其它类型的封装结构。

然而，这些进步增加了加工及制造集成电路的复杂度。随着部件尺寸持续缩减，制造制程的实施难度逐步递增。因此，随着尺寸愈来愈小，形成可靠的半导体装置成为一项挑战。

发明内容

公开实施例提供一种半导体结构的形成方法包括形成材料层于基底上方，以及形成辅助层于材料层上方。此辅助层包含：聚合物主链(backbone)、与聚合物主链键合的酸不稳定基团(acid labile group，ALG)、以及与聚合物主链键合的浮动基团(floatinggroup)。此浮动基团包含氟化碳(C_xF_y)。此方法也包括形成阻抗层于辅助层上方，以及图案化阻抗层。

本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法包括形成材料层于基底上方以及形成下层于材料层上方。下层包含：第一聚合物主链、与第一聚合物主链键合的酸不稳定基团(ALG)、以及与第一聚合物主链键合的浮动基团。酸不稳定基团包含极性开关单元，并且浮动基团包含氟化碳(C_xF_y)。此方法还包括形成阻抗层于下层上方，且阻抗层包含第二聚合物。此方法还包括通过进行曝光制程以曝光阻抗层，以及在进行曝光制程之后，第一聚合物与第二聚合物反应以形成第一聚合物与第二聚合物之间的分子间力。

本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法包括形成材料层于基底上方，以及形成底层于材料层上方。此方法也包括形成中间层于底层上方。中间层包含：含硅无机聚合物、第一聚合物主链、与第一聚合物主链键合的酸不稳定基团(ALG)、以及与第一聚合物主链键合的浮动基团。酸不稳定基团包含极性开关单元，以及浮动基团包含氟化碳(C_xF_y)。此方法也包括形成阻抗层于中间层上方，以及图案化阻抗层。

附图说明

图1A-1E是依据本公开的一些实施例，示出形成半导体结构的各个阶段的剖面表示图。

图2是依据一些实施例，示出辅助层化学结构的图解。

图3A-3B是依据一些实施例，示出当在光刻制程中进行曝光制程时，发生于阻抗层与辅助层之反应的示意图。

图4A-4E是依据一些实施例，示出形成半导体结构的各个阶段的剖面表示图。

图5A-5F是依据一些实施例，示出形成半导体结构的各个阶段的剖面表示图。

附图标记说明

11～第一聚合物；

11a～第一聚合物主链；

12～第二聚合物；

13、15～化合物；

20～酸不稳定基团；