[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，包括：

形成一材料层于一基底上方；

形成一底部抗反射涂层于所述材料层上方，其中所述底部抗反射涂层包含：

一第一聚合物，包括：

一第一聚合物主链；

一酸不稳定基团，与所述第一聚合物主链键合；以及

一浮动基团，与所述第一聚合物主链键合，其中所述浮动基团包含氟化碳；以及

一化合物，与所述第一聚合物不同并与所述第一聚合物反应以形成一共聚物；

形成一阻抗层于所述底部抗反射涂层上方，其中所述阻抗层包含一第二聚合物；

图案化所述阻抗层以形成一图案化的阻抗层，其中图案化所述阻抗层的步骤包括在所述阻抗层上进行一第一显影制程，并且所述底部抗反射涂层的一第一部分随着所述阻抗层的一部分一同被移除；

在图案化所述阻抗层之后，在所述第一聚合物中和所述第二聚合物中形成羧酸基，并且所述第一聚合物中的羧酸基与所述第二聚合物中的羧酸基之间形成氢键；

图案化所述底部抗反射涂层以形成一图案化的底部抗反射涂层，其中图案化所述底部抗反射涂层的步骤包括进行一第二显影制程以移除所述底部抗反射涂层未被所述图案化的阻抗层覆盖的一第二部分；以及

通过进行蚀刻制程并使用所述图案化的阻抗层及所述图案化的底部抗反射涂层来移除部分的材料层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中，所述阻抗层还包含一光酸产生剂、一光可分解碱以及一淬灭剂。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中，所述酸不稳定基团与所述第一聚合物主链的重量比例为30wt％至70wt％。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中，所述氟化碳包含取代或未取代的含1至9个碳原子的直链、支链脂肪族烃基。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其中，所述氟化碳包括C₂F₅、CH₂-CH₂-C₃F₇、C(OH)(CF₃)₂、COOC₄F₉、CH₂OC₄F₉或COOC(OH)(CF₃)₂。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中，所述酸不稳定基团包含一极性开关单元，且所述极性开关单元包括缩醛、缩丙酮化合物或酸酐。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中，所述酸不稳定基团经由一连接基团与所述第一聚合物主链键合，所述连接基团包括具有氢或卤素的含1至9个碳原子的直链、支链、环状或非环状脂肪族烃基。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中，图案化所述阻抗层的步骤还包括：

通过进行一曝光制程曝光所述阻抗层；以及

在所述阻抗层上进行一烘烤制程。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其中，进行所述曝光制程的步骤包括使用负型显影剂。