[发明专利]具有被部分涂覆的电源端子的功率半导体模块在审

专利信息
申请号: 201811251193.2 申请日: 2018-10-25
公开(公告)号: CN109712944A 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: R·施潘克;T·格勒宁;T·尼贝尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱;董典红
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电源端子 衬底 功率半导体 裸片 功率半导体模块 塑料壳体 主面 涂覆 电连接点 绝缘涂层 空气接触 延伸穿过 第一端 塑料壳 包封 包埋 灌封 施加 体内 外部 安置 申请 制造
【说明书】:

本申请涉及具有被部分涂覆的电源端子的功率半导体模块。功率半导体模块包括:一个或多个功率半导体裸片,被附接到衬底的第一主面;塑料壳体,被附接到衬底,塑料壳体和衬底一起包封一个或多个功率半导体裸片;多个电源端子,在第一端处被附接到衬底的第一主面,并且在第二端处延伸穿过塑料壳体,以为一个或多个功率半导体裸片提供外部电连接点;灌封化合物,包埋一个或多个功率半导体裸片、衬底的第一主面和多个电源端子的第一端的至少一部分;和绝缘涂层,仅施加到多个电源端子的安置在塑料壳体内且只与空气接触的部分。还提供相应的制造方法。

技术领域

本申请涉及功率半导体模块,尤其涉及具有被部分涂覆的电源端子的功率半导体模块。

背景技术

功率半导体模块为若干功率半导体器件提供物理容纳,功率半导体器件诸如一个或多个功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)、BJT(双极结型晶体管)、晶闸管、JFET(结型场效应晶体管)、二极管等。功率半导体器件通常被制造在一个或多个半导体裸片中,所述半导体裸片被附接到功率电子衬底。塑料壳体与衬底一起包封功率半导体器件。

在功率半导体模块内,必须实现电势之间的足够隔离距离以确保适当的性能、安全性和可靠性。由于功率半导体模块的内部体积中的有限空间,自由空气在电压下没有提供部件之间的足够隔离。

通常使用软灌封隔离化合物来电绝缘所有需要电绝缘的暴露区域。功率半导体模块内的灌封化合物的填充高度直接取决于模块的内部构造。在制造功率半导体模块期间满足如塑料壳体的可制造性、可加工性和与现有生产工艺的兼容性的所有其他要求的需要通常导致灌封化合物的更高填充高度,这不利地影响模块的寿命性能。例如,灌封材料的热膨胀会在具有不同热膨胀系数的部件之间引起显著的机械相互作用,并且甚至在灌封材料自身中引起显著的热机械应力。在基于IGBT的功率半导体模块的应用条件下,灌封材料中的裂缝的传播是会导致模块的绝缘失效的真正问题。

因此,需要一种具有更可靠的电绝缘的功率半导体模块。

发明内容

根据功率半导体模块的实施例,所述功率半导体模块包括:一个或多个功率半导体裸片,被附接到衬底的第一主面;塑料壳体,被附接到衬底,所述塑料壳体和所述衬底一起包封所述一个或多个功率半导体裸片;多个电源端子,在第一端处被附接到所述衬底的第一主面,并且在第二端处延伸穿过所述塑料壳体,以为所述一个或多个功率半导体裸片提供外部电连接点;灌封化合物,包埋所述一个或多个功率半导体裸片、所述衬底的第一主面和所述多个电源端子的第一端的至少一部分;和绝缘涂层,仅施加到多个电源端子的安置在塑料壳体内且只与空气接触的部分。

根据一种制造功率半导体模块的方法的实施例,所述方法包括:将一个或多个功率半导体裸片附接到衬底的第一主面;将塑料壳体附接到所述衬底,所述塑料壳体和所述衬底一起包封所述一个或多个功率半导体裸片;在第一端处将多个电源端子附接到所述衬底的第一主面,每个电源端子在第二端处延伸穿过所述塑料壳体,以为所述一个或多个功率半导体裸片提供外部电连接;将一个或多个功率半导体裸片、所述衬底的第一主面和所述多个电源端子的第一端的至少一部分包埋在灌封化合物中;和在将所述多个电源端子附接到衬底的第一主面之前,将绝缘涂层仅施加到多个电源端子的将安置在所述塑料壳体内且只与空气接触的部分。

在阅读以下详细描述并查看附图之后,本领域技术人员将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图的元素不一定相对于彼此按比例绘制。相同的附图标记表示相应的类似部分。可以组合各种所图示的实施例的特征,除非它们彼此排斥。在附图中描绘实施例,并且在后续的描述中详述实施例。

图1图示了具有被部分地涂覆有绝缘材料的电源端子的功率半导体模块的实施例的透视图。

图2图示了沿着图1中标记为A-A'的线的功率半导体模块的横截面视图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811251193.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top