[发明专利]用于半导体处理的方法

说明书

本公开涉及用于半导体处理的方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括在衬底中形成沟槽。沿着沟槽的侧壁和底部形成衬垫层。在衬垫层上方形成富硅层。形成富硅层包括使第一硅前体流入工艺腔室达第一时间间隔，并使第二硅前体和第一氧前体流入工艺腔室达第二时间间隔。第二时间间隔不同于第一时间间隔。该方法还包括在富硅层上方形成介电层。

技术领域

本公开总体涉及用于半导体处理的方法，更具体地，涉及针对半导体器件的介电间隙填充工艺。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用(例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备)中。半导体器件通常通过下述操作来制造：在半导体衬底上顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件。

半导体工业通过不断减小最小特征尺寸持续改善各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件被集成到给定区域中。然而，随着最小特征尺寸减小，出现了应该解决的其他问题。

发明内容

根据本公开的一些实施例，一种用于半导体处理的方法包括：在衬底中形成沟槽；沿着沟槽的侧壁和底部形成衬垫层；在衬垫层上方形成富硅层，其中形成富硅层包括：使第一硅前体流入工艺腔室达第一时间间隔；以及使第二硅前体和第一氧前体流入工艺腔室达第二时间间隔，第二时间间隔不同于第一时间间隔；以及在富硅层上方形成介电层。

根据本公开的一些实施例，一种用于半导体处理的方法包括：图案化衬底以在其中形成沟槽，衬底的在相邻沟槽之间的部分形成半导体条带；以及在沟槽中形成隔离区域，半导体条带的在隔离区域上方延伸的部分形成鳍，其中形成隔离区域包括：在沟槽中共形地形成第一衬垫层；在第一衬垫层上方形成第一富硅层，其中形成第一富硅层包括：使第一硅前体流入工艺腔室达第一数目的循环；以及使第二硅前体和第一氧前体流入工艺腔室达第二数目的循环，循环的第二数目不同于循环的第一数目；以及在第一富硅层上方形成第一介电层。

根据本公开的一些实施例，一种用于半导体处理的方法包括：在衬底中形成隔离区域，衬底的在相邻隔离区域之间和之上延伸的部分形成鳍；沿着鳍的侧壁和顶表面形成牺牲栅极；沿着牺牲栅极的侧壁和在牺牲栅极的顶表面上方形成第一衬垫层；在第一衬垫层上方形成第一富硅层，其中形成第一富硅层包括：使第一硅前体流入工艺腔室达第一数目的循环；以及使第二硅前体和第一氧前体流入工艺腔室达第二数目的循环，循环的第二数目不同于循环的第一数目；以及在第一富硅层上方形成第一介电层。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各个方面。应当注意，根据行业的标准做法，各种特征不是按比例绘制的。事实上，为了讨论的清楚起见，各种特征的尺寸可能被任意增大或减小。

图1是根据一些实施例的鳍式场效应晶体管(“FinFET”)器件的透视图。

图2-图6是根据一些实施例的FinFET器件的制造中的中间阶段的截面图。

图7是示出了根据一些实施例的介电间隙填充工艺的流程图。

图8是示出了根据一些实施例的介电间隙填充工艺的流程图。

图9是示出了根据一些实施例的介电间隙填充工艺的流程图。

图10是示出了根据一些实施例的介电间隙填充工艺的流程图。

图11示出了根据一些实施例的前体的结构式。

图12和图13是根据一些实施例的FinFET器件的制造中的中间阶段的截面图。

图14A和图14B是根据一些实施例的FinFET器件的制造中的中间阶段的截面图。

图15A、图15B和图15C是根据一些实施例的FinFET器件的制造中的中间阶段的截面图。