[发明专利]用于半导体处理的方法

权利要求书

1.一种用于半导体处理的方法，包括：

在衬底中形成沟槽；

沿着所述沟槽的侧壁和底部形成第一衬垫层；

在所述第一衬垫层上方形成第一富硅层，其中形成所述第一富硅层包括：

使第一硅前体流入工艺腔室达第一时间间隔；以及

使第二硅前体和第一氧前体流入所述工艺腔室达第二时间间隔，所述第二时间间隔不同于所述第一时间间隔；

在所述第一富硅层上方形成介电层；

在所述衬底和所述介电层上方形成牺牲栅极；

沿着所述牺牲栅极的侧壁和在所述牺牲栅极的顶表面上方形成第二衬垫层；以及

在所述第二衬垫层上方形成第二富硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一富硅层还包括：

使第三硅前体流入所述工艺腔室达第三时间间隔；以及

使第四硅前体和第二氧前体流入所述工艺腔室达第四时间间隔，所述第四时间间隔不同于所述第三时间间隔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一硅前体和所述第二硅前体包括相同的化学物质。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述介电层上执行紫外线/氧处理。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述介电层上执行所述紫外线/氧处理包括使所述介电层在氧环境中经受紫外线辐射。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括在执行所述紫外线/氧处理之后，在所述介电层上执行热处理。

7.一种用于半导体处理的方法，包括：

图案化衬底以在其中形成沟槽，衬底的在相邻沟槽之间的部分形成半导体条带；

在所述沟槽中形成隔离区域，所述半导体条带的在所述隔离区域上方延伸的部分形成鳍，其中形成所述隔离区域包括：

在所述沟槽中共形地形成第一衬垫层；

在所述第一衬垫层上方形成第一富硅层，其中形成所述第一富硅层包括：

使第一硅前体流入工艺腔室达第一数目的循环；以及

使第二硅前体和第一氧前体流入所述工艺腔室达第二数目的循环，循环的所述第二数目不同于循环的所述第一数目；以及

在所述第一富硅层上方形成第一介电层；

沿着所述鳍的侧壁和顶表面形成牺牲栅极；

在所述牺牲栅极上方共形地形成第二衬垫层；

在所述第二衬垫层上方形成第二富硅层，其中形成所述第二富硅层包括：

使第三硅前体流入所述工艺腔室达第三数目的循环；以及

使第四硅前体和第二氧前体流入所述工艺腔室达第四数目的循环，循环的所述第四数目不同于循环的所述第三数目；以及

在所述第二富硅层上方形成第二介电层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述第一富硅层还包括：

使第五硅前体流入所述工艺腔室达第五数目的循环；以及

使第六硅前体和第三氧前体流入所述工艺腔室达第六数目的循环，循环的所述第六数目不同于循环的所述第五数目。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述沟槽中共形地形成所述第一衬垫层包括使用原子层沉积(ALD)工艺沿着所述沟槽的侧壁和底部沉积介电材料。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述第一介电层包括使第五硅前体、第三氧前体和含氧等离子体流入所述工艺腔室达第五数目的循环。

11.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述第一介电层上执行紫外线/氧处理；以及

在执行紫外线/氧处理之后，在所述第一介电层上执行热处理。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述第一介电层上执行所述紫外线/氧处理包括使所述第一介电层在氧环境中经受紫外线辐射。