[发明专利]一种图形密度的分析方法有效

专利信息
申请号: 201811154697.2 申请日: 2018-09-30
公开(公告)号: CN109359363B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 程玮;朱忠华;魏芳 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392;G06F119/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 徐伟
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 图形 密度 分析 方法
【说明书】:

发明提供了一种图形密度的分析方法,用以分析版图的局部图形密度,包括:获取位于待分析版图区域上每一个版图图形的图形属性;对每一个版图图形,基于对应的图形属性设定该版图图形的相关窗口;计算每一个相关窗口的图形密度;以及选取相关窗口的图形密度中的最大值为上述版图的最大局部图形密度,选取相关窗口的图形密度中的最小值为上述版图的最小局部图形密度。根据本发明所提供的分析方法,能够基于版图图形的属性构建检查窗口,使得更准确、有效地获取版图图形上具有最大密度和最小密度的窗口区域,避免了误差与疏漏。

技术领域

本发明涉及可制造性图形设计领域(DFM,Design For Manufacture),尤其涉及集成电路版图设计领域。

背景技术

集成电路版图设计是可制造性图形设计的一个重要组成部分,随着集成电路技术的发展,集成电路版图图形的复杂度不断提高,图形密度分析已成为很多关键层次掩模版数据分析的重要步骤。

在半导体制造过程中,图形密度分布均匀与否对蚀刻工艺及化学机械研磨工艺的影响很大,在图形密度分布不均的情况下,不仅容易加重蚀刻中的负载效应,导致部分图形的最终尺寸与目标尺寸偏离,更容易使图形在化学机械研磨工艺中发生过磨。因此,准确地计算版图的局部密度,找到高风险工艺区域,有利于各模块工程师及时了解产品高风险工艺热点具体位置及图形特性,及早的制定出相应的应对措施,顺利达成产品的流片及量产。

传统的图形密度分析是以固定的步进移动来设置检查窗口,在版图中进行计算,这样会漏掉部分图形的特征,造成密度分析的缺失和偏差。请参考图1、图2A、图2B、图3、图4A、图4B来理解传统的图形密度分析方法,以及其所存在的问题。

图1、图3示出了待分析的数据版图,图中的阴影部分即为版图图形,版图的局部图形密度指的是在待分析的数据版图中根据设计规格确定的预设大小为W*W的区域图形密度,因此,需要在待分析的数据版图中构建该大小为W*W的检查窗口,计算检查窗口中阴影图形面积与检查窗口面积的比例为局部图形密度。

对于图1所示的待分析的数据版图,根据现有的传统图形密度分析方法,W*W的检查窗口是以固定步进遍历数据版图的方式构建的。以下举例说明传统方法的实现步骤:请结合图2A和图2B,以版图的左下顶点为起始点为例,向右、向上构建W*W的检查窗口(如图2A中的粗线条框)并计算该检查窗口中的图形密度。随后以1/2W的步进向右移动,构建W*W的检查窗口并计算该检查窗口中的图形密度,如图2B中的粗线条框,其中,虚线表示了1/2W的步进。以此类推,依次将上述检查窗口以固定步进移动直至版图的两侧边缘并计算每次检查窗口内的图形密度,以获取版图的局部图形密度。虽然在如图1所示出的数据版图的中间部分存在局部图形密度为0%的区域,但从图2A、图2B所示出的虚线可以知道,依据上述传统的图形密度分析方法无法构建该0%区域的检查窗口,因此,现有的传统图形密度分析方法在分析图形密度极小值时存在误差和疏漏。

对于图3所示的待分析的数据版图,根据现有的传统图形密度分析方法,W*W的检查窗口是以固定步进遍历数据版图的方式构建的。以下举例说明传统方法的实现步骤:请结合图4A和图4B,以版图的左上顶点为起始点为例,向右、向下构建W*W的检查窗口(如图4A中的粗线条框)并计算该检查窗口中的图形密度。随后以1/2W的步进向右移动,构建W*W的检查窗口并计算该检查窗口中的图形密度,如图4B中的粗线条框,其中,虚线表示了1/2W的步进。以此类推,依次将上述检查窗口以固定步进移动直至版图的两侧边缘并计算每次检查窗口内的图形密度,以获取版图的局部图形密度。虽然在如图3所示出的数据版图的中间阴影部分存在局部图形密度为100%的区域,但从图4A、图4B所示出的虚线可以知道,依据上述传统的图形密度分析方法无法构建该100%区域的检查窗口,因此,现有的传统图形密度分析方法在分析图形密度极大值时存在误差和疏漏。

由此可知,现有技术中的传统图形密度分析方法存在漏掉部分图形的特征的缺陷,造成密度分析的缺失和偏差。因此,亟需要一种新的图形密度的分析方法,能够有效克服上述问题,精准地计算版图的局部图形密度,获取极值密度,有利于版图设计的监控。

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