[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201811149702.0 | 申请日: | 2018-09-29 |
公开(公告)号: | CN109244086B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 顾仁权;姚琪;黎午升;李东升;吴慧利;李士佩;尹东升;贺芳;岳阳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板,位于所述衬底基板一侧的引出线和无机绝缘层;所述衬底基板上具有贯穿所述衬底基板且填充有第一导电材料的多个连接孔;其特征在于:
所述无机绝缘层上具有第一通孔和第二通孔,所述第一通孔贯穿所述无机绝缘层至所述第一导电材料,所述第二通孔贯穿所述无机绝缘层至所述引出线;
在所述第一通孔、所述第二通孔和所述无机绝缘层远离所述衬底基板的一侧设置有第二导电层,以使所述第一导电材料和所述引出线通过所述第二导电层电连接;
所述衬底基板上设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的信号线与所述引出线电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述信号线包括栅线和数据线,所述引出线与所述栅线或所述数据线同层设置。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述引出线位于边框区域,所述信号线位于显示区域。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括栅绝缘层和钝化层,所述无机绝缘层包括所述栅绝缘层和所述钝化层。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的平坦层,所述第一通孔和所述第二通孔还贯穿所述平坦层。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧的微型发光二极管;
所述微型发光二极管的正负极与所述薄膜晶体管的源漏极通过第三导电部件连接。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第三导电部件与所述第二导电层同层设置。
8.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管。
9.如权利要求1-8任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电材料为铜。
10.如权利要求1-8任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导电层的材料为银/氧化铟锡/银。
11.如权利要求1-8任一项所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述衬底基板另一侧的第一绝缘层、第二绝缘层和集成电路芯片;
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上具有贯穿二者的第三通孔,所述第三通孔对应所述连接孔;
所述集成电路芯片的走线通过所述第三通孔与所述第一导电材料电连接。
12.一种如权利要求1-11任一项所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成贯穿所述衬底基板的多个连接孔;
在各所述连接孔内填充第一导电材料;
在具有各所述连接孔的所述衬底基板上形成引出线和无机绝缘层;
在所述连接孔对应区域的所述无机绝缘层中形成贯穿至所述第一导电材料的第一通孔,同时在所述引出线对应区域的所述无机绝缘层中形成贯穿至所述引出线的第二通孔;
在所述第一通孔、所述第二通孔和所述无机绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二导电层。
13.如权利要求12所述的制作方法,其特征在于,在所述第一通孔、所述第二通孔和所述无机绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成第二导电层之前,还包括:
对第一导电材料进行氢离子还原。
14.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-11任一项所述的阵列基板。
15.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求14所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的