[发明专利]一种低成本重布线凸点封装结构的制造方法

说明书

本发明公开了一种低成本重布线凸点封装结构的制造方法，包括：在晶圆上形成PVD种子层；在PVD种子层表面形成RDL层光刻胶；对形成的RDL层光刻胶进行图形化曝光，形成RDL曝光区域；在曝光后的RDL层光刻胶上形成Bump层光刻胶；进行Bump层光刻胶的图像化曝光，形成Bump曝光区域；显影形成Bump和RDL电镀窗口；电镀形成RDL和Bump结构；以及去除光刻胶及外漏的PVD种子层。该方法将两次光刻工艺结合，通过一次电镀工艺即可以完成重布线和凸点两制程，减少了工艺步骤，缩短了工艺时间，可以节约设备、材料成本，提高产能。

技术领域

本发明涉及半导体或MEMS(微机电系统)封装技术领域，尤其涉及一种低成本重布线凸点封装结构的制造方法。

背景技术

随着半导体技术，尤其是半导体封装技术的发展，基于凸点(Bump)的BGA封装技术比传统的基于引脚的贴装和插装具有具有更小的体积、更好的散热性能和电性能。此外传感器、射频器件的封装采用凸点工艺具有更好的工艺适配性和热、电性能。

现有的凸点工艺通常包括重新布局布线工艺和Bumping工艺，这种工艺会涉及两套光刻制程，即：首先通过PVD种子层沉积、涂胶、曝光、显影、电镀、去胶、去除PVD种子层以及涂覆绝缘层(如PI)形成重新布局布线(RDL)层；然后再一次通过PVD种子层沉积、涂胶、曝光、显影、电镀、去胶、去除PVD种子层以及回流焊形成凸点。

上述现有的凸点工艺存在工艺流程长，需要完成两套光刻工艺，工艺成本高等缺点。尤其在针对MEMS器件封装及其他传感器件封装时，对成本要求较高，同时其相对大尺寸的重新布局布线(RDL)层对电镀工艺的精度要求不高时，希望能简化上述凸点工艺制程。

为了至少部分的克服上述现有技术中凸点工艺存在的工艺流程长、成本高等问题，本发明提出了一种低成本重布线凸点封装结构的制造方法，将两次光刻工艺结合，通过一次电镀工艺即可以完成重布线和凸点两制程，减少了工艺步骤，缩短了工艺时间，可以节约设备、材料成本，提高产能。

发明内容

针对现有技术中凸点工艺存在的工艺流程长、成本高等问题，根据本发明的一个实施例，提供一种一种低成本重布线凸点封装结构的制造方法，包括：在晶圆上形成PVD种子层；在PVD种子层表面形成RDL层光刻胶；对形成的RDL层光刻胶进行图形化曝光，形成RDL曝光区域；在曝光后的RDL层光刻胶上形成Bump层光刻胶；进行Bump层光刻胶的图像化曝光，形成Bump曝光区域；显影形成Bump和RDL电镀窗口；电镀形成RDL和Bump结构；以及去除光刻胶及外漏的PVD种子层。

在本发明的一个实施例中，所述Bump层光刻胶的厚度大于所述RDL层光刻胶的厚度，Bump层光刻胶和RDL层光刻胶都为正胶。

在本发明的一个实施例中，所述电镀形成RDL和Bump结构的Bump为导电铜柱。

在本发明的一个实施例中，所述电镀形成RDL和Bump结构的Bump为锡银焊球或锡银铜焊球。

在本发明的一个实施例中，该方法还包括对Bump结构进行回流焊。

根据本发明的另一个实施例，提供一种低成本重布线凸点封装结构的制造方法，包括：

在晶圆上形成PVD种子层；

在PVD种子层表面形成RDL层光刻胶；

对形成的RDL层光刻胶进行图形化曝光，形成RDL曝光区域；

对RDL层光刻胶进行显影，形成RDL电镀窗口；

在显影后的RDL层光刻胶上形成Bump层光刻胶；

进行Bump层光刻胶的图像化曝光，形成Bump曝光区域；

显影形成Bump电镀窗口；