[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法

说明书

半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、读/写电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括多个存储块。读/写电路对存储器单元阵列的所选页执行读/写操作。地址解码器存储关于所述多个存储块中的每一个的坏块标记数据，并响应于地址信号而输出坏块标记数据。控制逻辑控制读/写电路测试所述多个存储块中是否发生了缺陷，并且控制地址解码器存储表示所述多个存储块中是否发生了缺陷的测试结果作为坏块标记数据。

技术领域

本公开总体上涉及电子装置，更具体地讲，涉及一种半导体存储器装置及其操作方法。

背景技术

存储器装置可按照串与半导体基板水平布置的二维结构形成，或者按照串与半导体基板垂直布置的三维结构形成。三维半导体器件是为了克服二维半导体器件中的集成度限制而设计的存储器装置，并且可包括垂直地层叠在半导体基板上的多个存储器单元。

发明内容

实施方式提供了一种能够降低测试成本和测试时间的半导体存储器装置。

实施方式还提供了一种能够降低测试成本和测试时间的半导体存储器装置的操作方法。

根据本公开的一方面，提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，其被配置为包括多个存储块；读/写电路，其被配置为对存储器单元阵列的所选页执行读/写操作；地址解码器，其被配置为存储关于多个存储块中的每一个的坏块标记数据，并且响应于地址信号而输出坏块标记数据；以及控制逻辑，其被配置为控制读/写电路测试多个存储块中是否发生了缺陷，并且控制地址解码器存储表示多个存储块中是否发生了缺陷的测试结果作为坏块标记数据。

存储器单元阵列可包括修复区域和主区域，其各自包括至少一个存储块。

控制逻辑可通过收集坏块标记数据来生成坏块信息，并且基于坏块信息生成修复映射信息。

存储器单元阵列可包括额外区域，该额外区域包括至少一个存储块。控制逻辑可控制读/写电路将坏块信息和修复映射信息中的至少一个编程在额外区域的存储块中。

控制逻辑可控制读/写电路将坏块信息和修复映射信息中的至少一个备份到主区域的存储块中。

根据本公开的一方面，提供了一种操作包括多个存储块的半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：对多个存储块中的每一个执行坏块标记；基于坏块标记的结果生成坏块信息；基于坏块信息生成修复映射信息；以及将坏块信息和修复映射信息中的至少一个编程在多个存储块中的至少一个中。

执行坏块标记的步骤可包括以下步骤：检测多个存储块当中的所选存储块中是否发生了缺陷；以及基于通过检测所选存储块中是否发生了缺陷而获得的结果，更新与所选存储块对应的坏块锁存器的数据。

坏块锁存器可被包括在半导体存储器装置的地址解码器中。

在生成坏块信息时，可通过收集存储在坏块锁存器中的数据来生成坏块信息。

多个存储块可被区分以属于修复区域、额外区域和主区域中的任一个。在生成修复映射信息时，可通过将属于额外区域和主区域的存储块当中的具有缺陷的至少一个存储块映射到属于修复区域的存储块来生成修复映射信息。

生成修复映射信息的步骤可包括以下步骤：生成关于属于额外区域的存储块的修复映射信息；以及生成关于属于主区域的存储块的修复映射信息。

根据本公开的一方面，提供了一种操作包括多个存储块的半导体存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：将备份的先前坏块标记结果加载到多个存储块当中的至少一个存储块中；对多个存储块中的每一个执行坏块标记；基于坏块标记的结果生成坏块信息；基于坏块信息生成修复映射信息；将坏块信息和修复映射信息中的至少一个备份到多个存储块中的至少一个中；以及将坏块信息和修复映射信息中的至少一个编程在多个存储块中的至少一个中。