[发明专利]电容式压力传感器及其制备方法、压力测量装置有效

专利信息
申请号: 201811099296.1 申请日: 2018-09-19
公开(公告)号: CN109231156B 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 赵湛;刘振宇;杜利东;方震 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00;G01L1/14
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周天宇
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电容 压力传感器 及其 制备 方法 压力 测量 装置
【说明书】:

发明公开了一种电容式压力传感器,适用于传感器领域,包括衬底和盖板,衬底包括顶层、底层和绝缘层,底层的下表面上开设有凹槽,盖板罩盖凹槽,以使凹槽形成真空空腔,以及,使凹槽的槽底形成压敏薄膜,顶层上开设有可动叉指电容和固定叉指电容,其相互交错等距离排列,可动叉指电容通过位于其正下方的绝缘层贴合压敏薄膜,固定叉指电容正下方的绝缘层悬空位于底层和固定叉指电容之间。本发明实施例还公开了一种电容式压力传感器的制备方法、压力测量装置,当压敏薄膜受力发生形变时,可使可动叉指电容相对于固定叉指电容之间的正对面积的改变,进而电容值发生改变,具有良好的线性输出,同时,真空密封性好,可避免真空空腔内电极的引出。

技术领域

本发明涉及传感器技术领域,尤其涉及一种电容式压力传感器及其制备方法、压力测量装置。

背景技术

随着传感器产业的发展,基于微电机系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)技术的传感器成为传感器行业发展的一个最重要分支。MEMS是一项用于批量制作微型结构、微传感器、微执行器、微系统以及它们的信号处理电路等的半导体技术。

基于MEMS技术的压力传感器在工业生产、医疗卫生、环境监测以及科学研究等众多领域有着广泛的应用。其中,电容式压力传感器是MEMS压力传感器的一种主要类型,其根本原理是将压力变化转换为电容变化。根据电容量公式,电容式压力传感器可以分为变间距式、变面积式和变介质式三种类型。由于实现方便,变间距式的电容式压力传感器最为常见。然而,一方面,变间距式的电容式压力传感器线性度较差,另一方面,真空密封性差,真空腔内电极易引出。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种电容式压力传感器及其制备方法、压力测量装置,旨在解决现有技术中电容式压力传感器线性度较差和真空密封性差,真空腔内电极易引出的技术问题。

为实现上述目的,本发明实施例第一方面提供一种电容式压力传感器,包括:

衬底10和盖板20;

衬底10包括顶层101、底层102和绝缘层103,绝缘层103位于顶层101 和所述底层102之间;

底层102的下表面上开设有凹槽,盖板20罩盖所述凹槽,以使所述凹槽形成真空空腔1021,以及,使所述凹槽的槽底形成压敏薄膜1022;

顶层101上开设有至少一个可动叉指电容1011和至少一个固定叉指电容 1012,可动叉指电容1011和固定叉指电容1012相互交错等距离排列,位于压敏薄膜1022的正上方;

可动叉指电容1011通过位于其正下方的绝缘层103贴合压敏薄膜1022,以便于可动叉指电容1011跟随压敏薄膜1022振动;

固定叉指电容1012正下方的绝缘层103,悬空位于底层102和固定叉指电容1012之间,以防止固定叉指电容1012跟随压敏薄膜1022振动。

本发明实施例第二方面提供一种电容式压力传感器的制备方法,包括:

按照第一预设掩模图形,刻蚀底层的下表面,在所述底层的下表面上形成形状为所述第一预设掩模图形的凹槽,所述凹槽的槽底形成压敏薄膜;

按照第二预设掩模图形,刻蚀顶层,在所述顶层上形成形状为所述第二预设掩模图形的叉指电容,所述叉指电容包括至少一个可动叉指电容和至少一个固定叉指电容;

将所述可动叉指电容通过位于其正下方的绝缘层贴合所述压敏薄膜,以及,将所述固定叉指电容正下方的绝缘层,悬空设置于所述底层和所述固定叉指电容之间。

本发明实施例第三方面提供一压力测量装置,包括本发明实施例第一方面所述的电容式压力传感器。

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